JAJSDL0A February 2017 – July 2017 CSD17318Q2
PRODUCTION DATA.
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
- DQK|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
1 特長
- 5Vゲートの駆動に最適化
- 低い容量と電荷
- 低いRDS(ON)
- 低い熱抵抗
- 鉛不使用
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- SON 2mm×2mmプラスチック・パッケージ
2 アプリケーション
- ストレージ、タブレット、ハンドヘルド機器
- 負荷スイッチ・アプリケーションに最適化
- DC/DCコンバータ
- バッテリおよび負荷管理アプリケーション
3 概要
この30V、12.6mΩ、2mm×2mm SON NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるよう設計され、5Vのゲート駆動アプリケーション向けに最適化されています。2mm×2mmのSONにより、このサイズのパッケージでは非常に優れた熱特性を実現しています。
上面図
製品概要
| TA = 25°C | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 30 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷(4.5V) | 6.0 | nC | |
| Qgd | ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 | 1.3 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン-ソース間オン抵抗 | VGS = 2.5V | 20 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 13.9 | |||
| VGS = 8V | 12.6 | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 0.9 | V | |
製品情報(1)
| 型番 | 数量 | メディア | パッケージ | 出荷 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17318Q2 | 3000 | 7インチ・リール | SON 2.00mm×2.00mm プラスチック・パッケージ |
テープ・アンド・リール |
| CSD17318Q2T | 250 |
- 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25°C | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 30 | V |
| VGS | ゲート-ソース間電圧 | ±10 | V |
| ID | 連続ドレイン電流(パッケージ制限) | 21.5 | A |
| 連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25°C | 25 | ||
| 連続ドレイン電流(1) | 10 | ||
| IDM | パルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2) | 68 | A |
| PD | 消費電力(1) | 2.5 | W |
| 消費電力、TC = 25°C | 16 | ||
| TJ、 TSTG |
動作時の接合部、 保管温度 |
–55～150 | °C |
| EAS | アバランシェ・エネルギー、単一パルス、 ID = 12.4A、L = 0.1mH、RG = 25Ω |
7.7 | mJ |
- 厚さ0.06inのFR4 PCB上に構築された面積1in2、2オンスのCuパッド上で、標準値RθJA = 55°C/W
- 最大RθJC = 7℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
オン状態の抵抗とゲート-ソース間電圧との関係 |
ゲート電荷 |