この30V、3.2mΩ、SON 3.3mm×3.3mm NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。
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TA = 25°C | 標準値 | 単位 | ||
---|---|---|---|---|
VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 30 | V | |
Qg | ゲートの合計電荷(4.5V) | 20 | nC | |
Qgd | ゲート-ドレイン間ゲート電荷量 | 4 | nC | |
RDS(on) | ドレイン-ソース間オン抵抗 | VGS = 4.5V | 3.9 | mΩ |
VGS = 10V | 3.2 | mΩ | ||
VGS(th) | スレッショルド電圧 | 1.3 | V |
デバイス | メディア | 数量 | パッケージ | 出荷 |
---|---|---|---|---|
CSD17581Q3A | 13インチ・リール | 2500 | SON 3.30mm×3.30mm プラスチック・パッケージ |
テープ・アンド・リール |
CSD17581Q3AT | 7インチ・リール | 250 |
TA = 25°C | 値 | 単位 | |
---|---|---|---|
VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 30 | V |
VGS | ゲート-ソース間電圧 | ±20 | V |
ID | 連続ドレイン電流(パッケージ制限) | 60 | A |
連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25°C | 101 | ||
連続ドレイン電流(1) | 21 | ||
IDM | パルス・ドレイン電流(2) | 154 | A |
PD | 消費電力(1) | 2.8 | W |
消費電力、TC = 25°C | 63 | ||
TJ、 Tstg |
動作時の接合部温度、 保管温度 |
–55~150 | °C |
EAS | アバランシュ・エネルギー、単一パルス ID = 39A、L = 0.1mH、RG = 25Ω |
76 | mJ |
RDS(on)とVGSとの関係![]() |
ゲート電荷![]() |
日付 | 改訂内容 | 注 |
---|---|---|
2016年10月 | * | 初版 |
PARAMETER | TEST CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNIT | ||
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STATIC CHARACTERISTICS | |||||||
BVDSS | Drain-to-source voltage | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 30 | V | |||
IDSS | Drain-to-source leakage current | VGS = 0 V, VDS = 24 V | 1 | μA | |||
IGSS | Gate-to-source leakage current | VDS = 0 V, VGS = 20 V | 100 | nA | |||
VGS(th) | Gate-to-source threshold voltage | VDS = VGS, ID = 250 μA | 1.0 | 1.3 | 1.7 | V | |
RDS(on) | Drain-to-source On-resistance |
VGS = 4.5 V, ID = 16 A | 3.9 | 4.7 | mΩ | ||
VGS = 10 V, ID = 16 A | 3.2 | 3.8 | |||||
gfs | Transconductance | VDS = 3 V, ID = 16 A | 78 | S | |||
DYNAMIC CHARACTERISTICS | |||||||
Ciss | Input capacitance | VGS = 0 V, VDS = 15 V, ƒ = 1 MHz | 2800 | 3640 | pF | ||
Coss | Output capacitance | 342 | 445 | pF | |||
Crss | Reverse transfer capacitance | 150 | 195 | pF | |||
RG | Series gate resistance | 1.8 | 3.6 | Ω | |||
Qg | Gate charge total (4.5 V) | VDS = 15 V, ID = 16 A | 20 | 25 | nC | ||
Qg | Gate charge total (10 V) | 41 | 54 | nC | |||
Qgd | Gate charge gate-to-drain | 4.0 | nC | ||||
Qgs | Gate charge gate-to-source | 6.9 | nC | ||||
Qg(th) | Gate charge at Vth | 3.6 | nC | ||||
Qoss | Output charge | VDS = 15 V, VGS = 0 V | 11.7 | nC | |||
td(on) | Turnon delay time | VDS = 15 V, VGS = 10 V, IDS = 16 A, RG = 0 Ω |
12 | ns | |||
tr | Rise time | 23 | ns | ||||
td(off) | Turnoff delay time | 23 | ns | ||||
tf | Fall time | 10 | ns | ||||
DIODE CHARACTERISTICS | |||||||
VSD | Diode forward voltage | ISD = 16 A, VGS = 0 V | 0.8 | 1.0 | V | ||
Qrr | Reverse recovery charge | VDS= 15 V, IF = 16 A, di/dt = 300 A/μs |
10.2 | nC | |||
trr | Reverse recovery time | 9.8 | ns |
THERMAL METRIC | MIN | TYP | MAX | UNIT | |
---|---|---|---|---|---|
RθJC | Junction-to-case thermal resistance(1) | 2 | °C/W | ||
RθJA | Junction-to-ambient thermal resistance(1)(2) | 55 |
![]() |
Max RθJA = 55°C/W when mounted on 1-in2 (6.45-cm2) of 2-oz (0.071-mm) thick Cu. |
![]() |
Max RθJA = 160°C/W when mounted on a minimum pad area of 2-oz (0.071-mm) thick Cu. |
ID = 16 A | VDS = 15 V | ||
ID = 250 µA | ||
ID = 16 A | ||
Single pulse, max RθJC = 2°C/W | ||||
VDS = 5 V | ||
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これらのデバイスは、限定的なESD(静電破壊)保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。
SLYZ022 — TI Glossary.
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