JAJSCJ3 October 2016 CSD17581Q3A
PRODUCTION DATA.
この30V、3.2mΩ、SON 3.3mm×3.3mm NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。
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TA = 25°C | 標準値 | 単位 | ||
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VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 30 | V | |
Qg | ゲートの合計電荷(4.5V) | 20 | nC | |
Qgd | ゲート-ドレイン間ゲート電荷量 | 4 | nC | |
RDS(on) | ドレイン-ソース間オン抵抗 | VGS = 4.5V | 3.9 | mΩ |
VGS = 10V | 3.2 | mΩ | ||
VGS(th) | スレッショルド電圧 | 1.3 | V |
デバイス | メディア | 数量 | パッケージ | 出荷 |
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CSD17581Q3A | 13インチ・リール | 2500 | SON 3.30mm×3.30mm プラスチック・パッケージ |
テープ・アンド・リール |
CSD17581Q3AT | 7インチ・リール | 250 |
TA = 25°C | 値 | 単位 | |
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VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 30 | V |
VGS | ゲート-ソース間電圧 | ±20 | V |
ID | 連続ドレイン電流(パッケージ制限) | 60 | A |
連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25°C | 101 | ||
連続ドレイン電流(1) | 21 | ||
IDM | パルス・ドレイン電流(2) | 154 | A |
PD | 消費電力(1) | 2.8 | W |
消費電力、TC = 25°C | 63 | ||
TJ、 Tstg |
動作時の接合部温度、 保管温度 |
–55~150 | °C |
EAS | アバランシュ・エネルギー、単一パルス ID = 39A、L = 0.1mH、RG = 25Ω |
76 | mJ |
RDS(on)とVGSとの関係![]() |
ゲート電荷![]() |