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  • CSD18511Q5A 40V、NチャネルNexFET™パワーMOSFET

    • JAJSCU1 December   2016 CSD18511Q5A

      PRODUCTION DATA.  

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  • CSD18511Q5A 40V、NチャネルNexFET™パワーMOSFET
  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 用語集
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q5Aパッケージの寸法
    2. 7.2 推奨のPCBパターン
    3. 7.3 推奨のステンシル開口部
    4. 7.4 Q5Aのテープ・アンド・リール情報
  8. 重要なお知らせ

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DQJ|8
    • MPSS010D
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
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DATA SHEET

CSD18511Q5A 40V、NチャネルNexFET™パワーMOSFET

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

1 特長

  • 低いRDS(ON)
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • ロジック・レベル
  • 鉛不使用の端子メッキ処理
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 5mm×6mmプラスチック・パッケージ

2 アプリケーション

  • DC/DC変換
  • 2次側同期整流器
  • バッテリ・モータ制御

3 概要

この40V、1.9mΩ、SON 5×6mm NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションで損失を最小化するよう設計されています。

上面図
CSD18511Q5A P0093-01_LPS198.gif

製品概要

TA = 25°C 標準値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 40 V
Qg 総ゲート電荷量(10V) 63 nC
Qgd ゲート-ドレイン間ゲート電荷量 11.2 nC
RDS(on) ドレイン-ソース間オン抵抗 VGS = 4.5V 2.7 mΩ
VGS = 10V 1.9 mΩ
VGS(th) スレッショルド電圧 1.8 V

製品情報(1)

デバイス 数量 メディア パッケージ 配送
CSD18511Q5A 2500 13インチ・リール SON 5mm×6mmプラスチック・パッケージ テープ・アンド・リール
CSD18511Q5AT 250 7インチ・リール
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

絶対最大定格

TA = 25°C 値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 40 V
VGS ゲート-ソース間電圧 ±20 V
ID 連続ドレイン電流(パッケージ制限) 100 A
連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25℃ 159
連続ドレイン電流 (1) 27 A
IDM パルス・ドレイン電流 (2) 400 A
PD 消費電力(1) 3.1 W
消費電力、TC = 25°C 104
TJ、
Tstg 		動作時の接合部および
保存温度範囲		 –55～150 °C
EAS アバランシェ・エネルギー、単一パルス
ID = 56A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 157 mJ
  1. 0.06インチ厚のFR4 PCB上の1インチ2、2オンスのCuパッドで、RθJA = 40℃/W (標準値)
  2. 最大RθJC = 1.2℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%

RDS(on)とVGSとの関係

CSD18511Q5A D007_SLPS631.gif

ゲート電荷

CSD18511Q5A D004_SLPS631_FP.gif

4 改訂履歴

日付 改訂内容 注
2016年12月 * 初版

5 Specifications

5.1 Electrical Characteristics

(TA = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BVDSS Drain-to-Source Voltage VGS = 0 V, ID = 250 μA 40 V
IDSS Drain-to-Source Leakage Current VGS = 0 V, VDS = 32 V 1 μA
IGSS Gate-to-Source Leakage Current VDS = 0 V, VGS = 20 V 100 nA
VGS(th) Gate-to-Source Threshold Voltage VDS = VGS, ID = 250 μA 1.5 1.8 2.4 V
RDS(on) Drain-to-Source On-Resistance VGS = 4.5 V, ID = 24 A 2.7 3.5 mΩ
VGS = 10 V, ID = 24 A 1.9 2.3 mΩ
gƒs Transconductance VDS = 20 V, ID = 24 A 5.2 S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Ciss Input Capacitance VGS = 0 V, VDS = 20 V,
ƒ = 1 MHz		 4500 5850 pF
Coss Output Capacitance 452 588 pF
Crss Reverse Transfer Capacitance 238 309 pF
RG Series Gate Resistance 0.7 1.4 Ω
Qg Gate Charge Total (10 V) VDS = 20 V, ID = 24 A 63 82 nC
Qg Gate Charge Total (4.5 V) 31 41 nC
Qgd Gate Charge Gate-to-Drain 11.2 nC
Qgs Gate Charge Gate-to-Source 13.2 nC
Qg(th) Gate Charge at Vth 8.2 nC
Qoss Output Charge VDS = 20 V, VGS = 0 V 20 nC
td(on) Turn On Delay Time VDS = 20 V, VGS = 10 V,
IDS = 24 A, RG = 0		 6 ns
tr Rise Time 15 ns
td(off) Turn Off Delay Time 24 ns
tƒ Fall Time 5 ns
DIODE CHARACTERISTICS
VSD Diode Forward Voltage IDS = 24 A, VGS = 0 V 0.75 1 V
Qrr Reverse Recovery Charge VDS= 20 V, IF = 24 A, di/dt = 300 A/μs 17 nC
trr Reverse Recovery Time 14 ns

5.2 Thermal Information

(TA = 25°C unless otherwise stated)
THERMAL METRIC MIN TYP MAX UNIT
RθJC Junction-to-Case Thermal Resistance(1) 1.2 °C/W
RθJA Junction-to-Ambient Thermal Resistance(1)(2) 50
(1) RθJC is determined with the device mounted on a 1-inch2 (6.45-cm2), 2-oz. (0.071-mm thick) Cu pad on a 1.5-inches × 1.5-inches
(3.81-cm × 3.81-cm), 0.06-inch (1.52-mm) thick FR4 PCB. RθJC is specified by design, whereas RθJA is determined by the user’s board design.
(2) Device mounted on FR4 material with 1-inch2 (6.45-cm2), 2-oz. (0.071-mm thick) Cu.
CSD18511Q5A M0137-01_LPS198.gif
Max RθJA = 50°C/W when mounted on 1 inch2 (6.45-cm2) of
2-oz. (0.071-mm thick) Cu.
CSD18511Q5A M0137-02_LPS198.gif
Max RθJA = 125°C/W when mounted on a minimum pad area of 2-oz.
(0.071-mm thick) Cu.

5.3 Typical MOSFET Characteristics

TA = 25°C (unless otherwise stated)
CSD18511Q5A D001_SLPS631.png
Figure 1. Transient Thermal Impedance
CSD18511Q5A D002_SLPS631.gif
Figure 2. Saturation Characteristics
CSD18511Q5A D004_SLPS631.gif
ID = 24 A, VDS = 20 V
Figure 4. Gate Charge
CSD18511Q5A D006_SLPS631.gif
ID = 250 µA
Figure 6. Threshold Voltage vs Temperature
CSD18511Q5A D008_SLPS631.gif
ID = 24 A
Figure 8. Normalized On-State Resistance vs Temperature
CSD18511Q5A D010_SLPS631.gif
Single pulse, max RθJC= 1.2°C/W
Figure 10. Maximum Safe Operating Area
CSD18511Q5A D012_SLPS631.gif
Max RθJC= 1.2°C/W
Figure 12. Maximum Drain Current vs Temperature
CSD18511Q5A D003_SLPS631.gif
VDS = 5 V
Figure 3. Transfer Characteristics
CSD18511Q5A D005_SLPS631.gif
Figure 5. Capacitance
CSD18511Q5A D007_SLPS631.gif
Figure 7. On-State Resistance vs Gate-to-Source Voltage
CSD18511Q5A D009_SLPS631.gif
Figure 9. Typical Diode Forward Voltage
CSD18511Q5A D011_SLPS631.gif
Figure 11. Single Pulse Unclamped Inductive Switching

 
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