DATA SHEET
CSD22206W -8V、Pチャネル NexFETパワーMOSFET
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1 特長
- 非常に低い抵抗
- 1.5mm×1.5mmの小さな占有面積
- 鉛不使用
- ゲートESD保護
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- ゲート・ソース電圧クランプ
2 アプリケーション
- 負荷スイッチ・アプリケーション
- バッテリ管理
- バッテリ保護
3 概要
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた熱特性を持つよう設計されています。低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスはバッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。
上面図と回路の構成
製品概要
| TA = 25°C | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | -8 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷(-4.5V) | 11.2 | nC | |
| Qgd | ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 | 1.8 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン-ソース間オン抵抗 | VGS = -2.5V | 6.8 | mΩ |
| VGS = -4.5V | 4.7 | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | -0.7 | V | |
製品情報
| デバイス | 数量 | メディア | パッケージ | 出荷 |
|---|---|---|---|---|
| CSD22206W | 3000 | 7インチ・リール | 1.50mm×1.50mm ウェハーBGAパッケージ |
テープ・アンド・リール |
| CSD22206WT | 250 |
絶対最大定格
| TA = 25°C | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | -8 | V |
| VGS | ゲート-ソース間電圧 | -6 | V |
| ID | 連続ドレイン電流(1) | -5 | A |
| パルス・ドレイン電流(2) | -108 | A | |
| PD | 消費電力 | 1.7 | W |
| TJ、 Tstg |
動作時の接合部、 保管温度 |
–55～150 | °C |
- 105℃でのデバイス動作時
- 標準RθJA = 75℃/W、FR4材質上に実装、最大Cu実装面積、パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
RDS(on)とVGSとの関係 |
ゲート電荷 |
4 改訂履歴
| 日付 | 改訂内容 | 注 |
|---|---|---|
| 2017年5月 | * | 初版 |
5 Specifications
5.1 Electrical Characteristics
TA = 25°C (unless otherwise stated)| PARAMETER | TEST CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNIT | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STATIC CHARACTERISTICS | |||||||
| BVDSS | Drain-to-source voltage | VGS = 0 V, IDS = –250 μA | –8 | V | |||
| BVGSS | Gate-to-source voltage | VDS = 0 V, IG = –250 μA | –6 | V | |||
| IDSS | Drain-to-source leakage current | VGS = 0 V, VDS = –6.4 V | –1 | μA | |||
| IGSS | Gate-to-source leakage current | VDS = 0 V, VGS = –6 V | –100 | nA | |||
| VGS(th) | Gate-to-source threshold voltage | VDS = VGS, IDS = –250 μA | –0.4 | –0.7 | –1.05 | V | |
| RDS(on) | Drain-to-source on resistance | VGS = –2.5 V, IDS = –2 A | 6.8 | 9.1 | mΩ | ||
| VGS = –4.5 V, IDS = –2 A | 4.7 | 5.7 | |||||
| gfs | Transconductance | VDS = –0.8 V, IDS = –2 A | 20 | S | |||
| DYNAMIC CHARACTERISTICS | |||||||
| CISS | Input capacitance | VGS = 0 V, VDS = –4 V, ƒ = 1 MHz |
1750 | 2275 | pF | ||
| COSS | Output capacitance | 960 | 1250 | pF | |||
| CRSS | Reverse transfer capacitance | 340 | 440 | pF | |||
| RG | Series gate resistance | 30 | Ω | ||||
| Qg | Gate charge total (–4.5 V) | VDS = –4 V, ID = –2 A |
11.2 | 14.6 | nC | ||
| Qgd | Gate charge gate-to-drain | 1.8 | nC | ||||
| Qgs | Gate charge gate-to-source | 2.1 | nC | ||||
| Qg(th) | Gate charge at Vth | 1.3 | nC | ||||
| QOSS | Output charge | VDS = –4 V, VGS = 0 V | 7.2 | nC | |||
| td(on) | Turnon delay time | VDS = –4 V, VGS = –4.5 V, IDS = –2 A, RG = 0 Ω |
37 | ns | |||
| tr | Rise time | 17 | ns | ||||
| td(off) | Turnoff delay time | 118 | ns | ||||
| tf | Fall time | 45 | ns | ||||
| DIODE CHARACTERISTICS | |||||||
| VSD | Diode forward voltage | IDS = –2 A, VGS = 0 V | –0.69 | –1.0 | |||
| Qrr | Reverse recovery charge | VDS= –4 V, IF = –1 A, di/dt = 200 A/μs |
24 | nC | |||
| trr | Reverse recovery time | 59 | ns | ||||
5.2 Thermal Information
TA = 25°C (unless otherwise stated)| THERMAL METRIC | TYPICAL VALUES | UNIT | |||
|---|---|---|---|---|---|
| RθJA | Junction-to-ambient thermal resistance(1) | 75 | °C/W | ||
| Junction-to-ambient thermal resistance(2) | 230 | ||||
(1) Device mounted on FR4 material with 1-in2 (6.45-cm2), 2-oz (0.071-mm) thick Cu.
(2) Device mounted on FR4 material with minimum Cu mounting area.
 |
Typ RθJA = 75°C/W when mounted on 1 in2 of 2-oz Cu. |
 |
Typ RθJA = 230°C/W when mounted on minimum pad area of 2-oz Cu. |
5.3 Typical MOSFET Characteristics
TA = 25°C (unless otherwise stated)
| ID = –2 A | VDS = –4 V | ||
| ID = –250 µA | ||
| ID = –2 A | ||
| Single pulse, max RθJA = 75°C/W | ||
| VDS = –4 V | ||
6 デバイスおよびドキュメントのサポート
6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
ドキュメントの更新についての通知を受け取るには、ti.comのデバイス製品フォルダを開いてください。右上の隅にある「通知を受け取る」をクリックして登録すると、変更されたすべての製品情報に関するダイジェストを毎週受け取れます。変更の詳細については、修正されたドキュメントに含まれている改訂履歴をご覧ください。
6.2 コミュニティ・リソース
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TI E2E™オンライン・コミュニティ TIのE2E（Engineer-to-Engineer）コミュニティ。エンジニア間の共同作業を促進するために開設されたものです。e2e.ti.comでは、他のエンジニアに質問し、知識を共有し、アイディアを検討して、問題解決に役立てることができます。
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設計サポート TIの設計サポート 役に立つE2Eフォーラムや、設計サポート・ツールをすばやく見つけることができます。技術サポート用の連絡先情報も参照できます。
6.3 商標
E2E is a trademark of Texas Instruments.
6.4 静電気放電に関する注意事項
これらのデバイスは、限定的なESD（静電破壊）保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。
6.5 Glossary
SLYZ022 — TI Glossary.
This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.
