JAJSGD1B
October 2018 – December 2018
INA901-SP
PRODUCTION DATA.
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
Device Images
概略回路図
4
改訂履歴
5
概要(続き)
6
Pin Configuration and Functions
Pin Functions
7
Specifications
7.1
Absolute Maximum Ratings
7.2
ESD Ratings
7.3
Recommended Operating Conditions
7.4
Thermal Information
7.5
Electrical Characteristics
7.6
Quality Conformance Inspection
7.7
Typical Characteristics
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagram
8.3
Feature Description
8.3.1
Basic Connection
8.3.2
Selecting RS
8.3.3
Transient Protection
8.4
Device Functional Modes
8.4.1
First- or Second-Order Filtering
8.4.2
Accuracy Variations as a Result of VSENSE and Common-Mode Voltage
8.4.2.1
Normal Case 1: VSENSE ≥ 20 mV, VCM ≥ VS
8.4.2.2
Normal Case 2: VSENSE ≥ 20 mV, VCM < VS
8.4.2.3
Low VSENSE Case 1: VSENSE < 20 mV, –16 V ≤ VCM < 0; and Low VSENSE Case 3: VSENSE < 20 mV, VS < VCM ≤ 80 V
8.4.2.4
Low VSENSE Case 2: VSENSE < 20 mV, 0 V ≤ VCM ≤ VS
9
Application and Implementation
9.1
Application Information
9.2
Typical Application
9.2.1
Design Requirements
9.2.2
Detailed Design Procedure
9.2.3
Application Curves
10
Power Supply Recommendations
11
Layout
11.1
Layout Guidelines
11.1.1
RFI and EMI
11.2
Layout Example
12
デバイスおよびドキュメントのサポート
12.1
ドキュメントのサポート
12.1.1
関連資料
12.2
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
12.3
コミュニティ・リソース
12.4
商標
12.5
静電気放電に関する注意事項
12.6
Glossary
13
メカニカル、パッケージ、および注文情報
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
HKX|8
MCQF026B
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsgd1b_oa
jajsgd1b_pm
1
特長
5962-1821001
放射線耐性保証(RHA)
低線量率で100krad(Si)
単一イベント・ラッチアップ(SEL)耐性
125°Cで93MeV-cm
2
/mgまで
放射線耐性についてのレポート
を参照
軍事用温度範囲(-55°C~125°C)で認定済み
高性能の8ピン・セラミック・フラット・パック・パッケージ(HKX)
広い同相電圧範囲: -15V~80V
CMRR: 120dB
精度
オフセット:±0.5mV
ゲイン誤差:±0.2%
オフセット・ドリフト:2.5µV/°C
ゲイン・ドリフト:50ppm/°C
帯域幅:最大130kHz
ゲイン: 20V/V
静止電流:700µA
電源: 2.7V~16V
フィルタリング用の機構