DataRAM.Full Charge Capacity( ) は放電中、前に説明したいくつかのポイントでのみ更新されるのに対して、DataRAM.Remaining Capacity( ) は積分された電荷に基づいて継続的に (1 秒ごと) 更新されます。DataRAM.Remaining Capacity( ) = RM - Q_integrated で、Q_integrated は前回の RM 計算以後に放出された電荷です。DataRAM.Remaining Capacity( ) は、相対的な DataRAM.State Of Charge( ) を更新するためにも使用されます。この値は相対的な DataRAM.State Of Charge( )= DataRAM.Remaining Capacity( ) × 100/ DataRAM.Full Charge Capacity( ) として毎秒更新されます。

同じ値を使用して、空になるまでの実行時間も DataRAM.Time To Empty( ) = DataRAM.Remaining Capacity( ) / DataRAM.Average Current( ) として計算されます。

RM のシミュレーションが定電力モード (DF.Load Mode = 1) で実行されていても、DataRAM.Remaining Capacity( ) と DataRAM.Time To Empty( ) の報告は mAh と 10mWh のどちらの値でも行えることに注意してください。次の値は常に mAh 単位で報告されるか、mAh 値から導出されます。

• DataRAM.Remaining Capacity( )
• DataRAM.Full Charge Capacity( )
• DataRAM.Time To Empty( )
• DataRAM.Nominal Avail. Capacity( )
• DataRAM.Full Available Capacity( )
• DataRAM.State of Charge( )

次の値は常に mWh 単位で報告されるか、mWh 値から導出されます。

• DataRAM.Available Energy( )
• DataRAM.Average Power( )
• DataRAM.TimeToEmpty Const. Power( )

定電力モード (DF.LoadModes = 1) の場合、空になるまでの実行時間は、DataRAM.TimeToEmpty( ) = DataRAM.AvailableEnergy( ) / DataRAM.AveragePower( ) で計算され、低電圧で消費電力が増加する関係上、ほとんどのデバイスで一般的に正確です。