9 Revision History
Changes from Revision P (December 2015) to Revision Q (September 2024)
- ドキュメント全体にわたって表、図、相互参照の採番方法を更新Go
- ドキュメント全体で「SON」を「VSON」に変更
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- Changed VFB typical valueGo
- Added M3 ground pin current specGo
- Added M3 shutdown current specGo
- Added new silicon plots to Typical
Characteristics
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- Changed load current max source from 500mA to 250mA
and dropout voltage from 250mV to 150mV in Overview
sectionGo
- Changed total ESR drops below 50nΩF to total ESR drops
below 50nF × Ω in Input and Output Capacitor Requirements
sectionGo
- Added new silicon plots to Application Curves
sectionGo
- Changed Layout Guidelines
sectionGo
- Added DBV and DCQ layout figures to Layout Examples
sectionGo
- Added M3 information to Device
Nomenclature
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Changes from Revision O (August 2010) to Revision P (December 2015)
- 「特長」で NMOS トポロジに関する箇条書き項目を変更、「新規」を削除
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- 「ESD 定格」表、「機能説明」セクション、「デバイスの機能モード」セクション、「アプリケーションと実装」セクション、「電源に関する推奨事項」セクション、「レイアウト」セクション、「デバイスおよびドキュメントのサポート」セクション、「メカニカル、パッケージ、および注文情報」セクションを追加
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- 「概要」セクションの最初の段落を変更、NMOS トポロジを「新規」としていた説明を削除Go
- Changed Pin Configuration and Functions section; updated table
format Go