TPS5450 は、低抵抗のハイサイド N チャネル MOSFET を内蔵した大出力電流の PWM コンバータです。記載されている特長以外に、過渡条件で電圧レギュレーションの精度を維持できる高性能な電圧誤差増幅器、入力電圧が 5.5V に達するまで起動を抑える低電圧誤動作防止回路、突入電流を制限するように内部的に設定されるスロースタート回路、過渡応答を改善するための電圧フィード・フォワード回路などの特長があります。ENA ピンを使用すると、シャットダウン時の消費電流を 18μA (標準値) に低減できます。また、アクティブ HIGH イネーブル、過電流制限、過電圧保護、サーマル・シャットダウンの機能も備えています。設計の複雑性を低減し、外付け部品数を減らすために、TPS5450 の帰還ループは内部的に補償されます。
TPS5450 デバイスは、熱特性が強化された 8 ピン SOIC PowerPAD パッケージで供給されます。TI は、お客様が短期間の開発サイクルに対応して高性能電源を設計できるように、評価基板とソフトウェア・ツールを提供しています。
部品番号 | パッケージ | 本体サイズ (公称) |
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TPS5450 | HSOP (8) | 4.89mm × 3.90mm |
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (December 2014)to RevisionE (July 2022)
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (October 2013)to RevisionD (September 2014)
ピン | I/O | 説明 | |
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名称 | 番号 | ||
BOOT | 1 | O | ハイサイド FET ゲート・ドライバ用ブースト・キャパシタ接続端子。BOOT ピンと PH ピンの間に 0.01μF の低 ESR キャパシタを接続。 |
NC | 2、3 | – | 内部未接続 |
VSENSE | 4 | I | レギュレータ用フィードバック電圧検出端子。出力電圧デバイダに接続。 |
ENA | 5 | I | オン / オフ制御。0.5V 以下でスイッチング停止。この端子がフローティングでイネーブル。 |
GND | 6 | – | グランド。PowerPAD に接続。 |
VIN | 7 | I | 電源入力。高品質、低 ESR のセラミック・キャパシタを、できるだけデバイス・パッケージに近づけて VIN ピンと GND ピンの間に接続する。 |
PH | 8 | O | ハイサイド・パワー MOSFET のソース。外部インダクタおよびダイオードに接続される。 |
PowerPAD | 9 | – | 適切な動作のためには、GND ピンを露出したパッドに接続する必要があります。 |