JAJS466L March   2009  – July 2024 TMP112 , TMP112D

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング要件
    7. 6.7 タイミング図
    8. 6.8 代表的特性 (TMP112A/B/N)
    9. 6.9 代表的特性 (TMP112Dx)
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 デジタル温度出力
      2. 7.3.2 シリアル インターフェイス
        1. 7.3.2.1 バスの概要
        2. 7.3.2.2 シリアル バス アドレス
        3. 7.3.2.3 読み取りと書き込みの動作
        4. 7.3.2.4 ターゲット モードの動作
          1. 7.3.2.4.1 ターゲット レシーバ モード
          2. 7.3.2.4.2 ターゲット トランスミッタ モード
        5. 7.3.2.5 SMBus のアラート機能
        6. 7.3.2.6 ゼネラル コール
        7. 7.3.2.7 ハイスピード (Hs) モード
        8. 7.3.2.8 タイムアウト機能
        9. 7.3.2.9 タイミング図
          1. 7.3.2.9.1 2 線式タイミング図
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 連続変換モード
      2. 7.4.2 拡張モード (EM)
      3. 7.4.3 ワンショット / 変換準備モード (OS)
      4. 7.4.4 サーモスタット モード (TM)
        1. 7.4.4.1 コンパレータ モード (TM = 0)
        2. 7.4.4.2 割り込みモード (TM = 1)
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 ポインタ レジスタ
      2. 7.5.2 温度レジスタ
      3. 7.5.3 構成レジスタ
        1. 7.5.3.1 シャットダウン モード (SD)
        2. 7.5.3.2 サーモスタット モード (TM)
        3. 7.5.3.3 極性 (POL)
        4. 7.5.3.4 フォルト キュー (F1/F0)
        5. 7.5.3.5 コンバータの分解能 (R1 および R0)
        6. 7.5.3.6 ワンショット (OS)
        7. 7.5.3.7 拡張モード (EM)
        8. 7.5.3.8 アラート (AL)
      4. 7.5.4 上限および下限レジスタ
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
      4. 8.2.4 電源に関する推奨事項
    3. 8.3 レイアウト
      1. 8.3.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.3.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 文書化のサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) TMP112A/B/D/N TMP112Dx 単位
DRL (SOT563) DPW (X2SON)
6 ピン 5 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 240.2 230 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 96.4 194 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 124.3 158.4 ℃/W
ψJT 接合部から上面への特性パラメータ 4.0 20 ℃/W
ψJB 接合部から基板への特性パラメータ 123.1 158.3 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 該当なし 108.4 ℃/W
MT 熱質量 1.97 0.46 mJ/℃
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション ノートを参照してください。