JAJSCA7B July   2016  – March 2024 CSD19538Q2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4.   概要
  5. 3Specifications
    1. 3.1 Electrical Characteristics
    2. 3.2 Thermal Information
    3. 3.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 4Device and Documentation Support
    1. 4.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 4.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 4.3 サポート・リソース
    4. 4.4 Trademarks
    5. 4.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 4.6 用語集
  7. 5Revision History
  8. 6Mechanical, Packaging, and Orderable Information

概要

この 100V、49mΩ、SON 2mm×2mm NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。

CSD19538Q2 上面図図 3-1 上面図
製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 100 V
Qg ゲートの合計電荷 (10V) 4.3 nC
Qgd ゲート-ドレイン間ゲート電荷 0.8 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = 6V 58 mΩ
VGS = 10V 49
VGS(th) スレッショルド電圧 3.2 V
製品情報(1)
デバイス数量メディアパッケージ出荷形態
CSD19538Q230007 インチ リールSON
2.00mm×2.00mm
プラスチック パッケージ		テープ アンド リール
CSD19538Q2T250
CSD19538Q2R 10,000 13 インチ リール
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃値単位
VDSドレイン - ソース間電圧100V
VGSゲート - ソース間電圧±20V
ID連続ドレイン電流 (パッケージ制限)14.4A
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、TC = 25°C13.1
連続ドレイン電流(1)4.6
IDMパルス ドレイン電流(2)34.4A
PD消費電力(1)2.5W
消費電力、TC = 25℃20.2
TJ、
Tstg		動作時の接合部温度、
保存温度		-55～150℃
EASアバランシェ エネルギー、単一パルス
ID = 12.6A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		8mJ
(1) 厚さ 0.06 インチの FR4 PCB 上に構築された面積 1 平方インチ、2 オンスの Cu パッド上で、標準値 RθJA = 50℃/W です。
(2) 最大 RθJC = 6.2℃/W、パルス期間 ≦ 100μs、デューティ サイクル ≦ 1%
CSD19538Q2 RDS(on) と VGS との関係RDS(on) と VGS との関係
CSD19538Q2 ゲート電荷ゲート電荷