JAJSD27B march 2017 – april 2023 LMG1205
PRODUCTION DATA
LMG1205 は、同期整流降圧、昇圧、またはハーフブリッジ構成で、ハイサイドとローサイドの両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム (GaN) FET を駆動できるように設計されています。このデバイスには 100V のブートストラップ・ダイオード、およびハイサイドとローサイド出力用に独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧はブートストラップ技法を使用して生成され、内部で 5V にクランプされます。これによって、ゲート電圧がエンハンスメント・モード GaN FET の最大ゲート・ソース電圧定格を超過しなくなります。LMG1205 の入力は TTL ロジック互換で、VDD 電圧に関係なく最大 14V の入力電圧に耐えることができます。LMG1205 には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に調整可能な柔軟性があります。
さらに、LM1205 の強力なシンク能力によりゲートが LOW 状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LMG1205 の最大動作周波数は数 MHz です。LMG1205 は、占有面積が小さく、パッケージのインダクタンスが最小化された、12 ピンの DSBGA パッケージで供給されます。
部品番号 | パッケージ | 本体サイズ (公称) |
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LMG1205 | DSBGA (12) | 2.00mm × 2.00mm |