JAJSD94G April   2017  – July 2024 DRV5032

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 磁気特性
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 磁束の方向
      2. 7.3.2 デバイス バージョンの比較
        1. 7.3.2.1 磁気スレッショルド
        2. 7.3.2.2 磁気応答
        3. 7.3.2.3 出力方式
        4. 7.3.2.4 サンプリング レート
      3. 7.3.3 ホール素子の位置
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 出力タイプのトレードオフ
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 汎用磁気センシング
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 8.2.2 3 ポジション・スイッチ
        1. 8.2.2.1 設計要件
        2. 8.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 設計のベスト プラクティス
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
    5. 8.5 レイアウト
      1. 8.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.5.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

7.3.1 磁束の方向

DRV5032 デバイスは、パッケージの上面に対して垂直な磁界成分に反応します (図 7-1 を参照)。

DRV5032 感度の方向図 7-1 感度の方向

このデータシートでは、パッケージの底面から上面に向かう磁束を正としています。この状態は、S 磁極がパッケージの上面に近付いた際に起こります。パッケージの上面から底面に向かう磁束からは、数ミリテスラの負の値が得られます。

DRV5032 磁束の方向の極性図 7-2 磁束の方向の極性