JAJSDA4H February   2013  – June 2017 LM5122

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     アプリケーション概略図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
    1.     ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD定格: LM5122、LM5122Z
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  低電圧誤動作防止(UVLO)
      2. 7.3.2  高電圧VCCレギュレータ
      3. 7.3.3  発振器
      4. 7.3.4  勾配補償
      5. 7.3.5  エラー・アンプ
      6. 7.3.6  PWMコンパレータ
      7. 7.3.7  ソフトスタート
      8. 7.3.8  HOおよびLOドライバ
      9. 7.3.9  バイパス動作(VOUT = VIN)
      10. 7.3.10 サイクル単位の電流制限
      11. 7.3.11 クロック同期
      12. 7.3.12 最大デューティ・サイクル
      13. 7.3.13 過熱保護
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 MODE制御（強制PWMモードおよびダイオード・エミュレーション・モード）
      2. 7.4.2 モード制御（スキップ・サイクル・モードおよびパルス・スキッピング・モード）
      3. 7.4.3 ヒカップ・モードの過負荷保護
      4. 7.4.4 スレーブ・モードとSYNCOUT
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 帰還補償
      2. 8.1.2 分数調波の発振
      3. 8.1.3 インターリーブ昇圧構成
      4. 8.1.4 DCRの検出
      5. 8.1.5 出力過電圧保護
      6. 8.1.6 SEPICコンバータの概略回路図
      7. 8.1.7 非絶縁同期整流フライバック・コンバータの概略回路図
      8. 8.1.8 負から正への変換
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  WEBENCH®ツールによるカスタム設計
        2. 8.2.2.2  タイミング抵抗RT
        3. 8.2.2.3  UVLO分圧抵抗RUV2、RUV1
        4. 8.2.2.4  入力インダクタLIN
        5. 8.2.2.5  電流センス抵抗RS
        6. 8.2.2.6  電流センス・フィルタRCSFP、RCSFN、CCS
        7. 8.2.2.7  勾配補償抵抗RSLOPE
        8. 8.2.2.8  出力コンデンサCOUT
        9. 8.2.2.9  入力コンデンサCIN
        10. 8.2.2.10 VINフィルタRVIN、CVIN
        11. 8.2.2.11 ブートストラップ・コンデンサCBSTと、昇圧ダイオードDBST
        12. 8.2.2.12 VCCコンデンサCVCC
        13. 8.2.2.13 出力電圧分圧抵抗RFB1、RFB2
        14. 8.2.2.14 ソフトスタート・コンデンサCSS
        15. 8.2.2.15 再起動コンデンサCRES
        16. 8.2.2.16 ローサイド電力スイッチQL
        17. 8.2.2.17 ハイサイド電力スイッチQHと追加の並列ショットキー・ダイオード
        18. 8.2.2.18 スナバ部品
        19. 8.2.2.19 ループ補償部品CCOMP、RCOMP、CHF
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトの注意点
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 開発サポート
        1. 11.1.1.1 WEBENCH®ツールによるカスタム設計
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.5 電気的特性

特に記述のない限り、これらの仕様は-40°C ≤ TJ ≤ +125°C、VVIN = 12V、VVCC = 8.3V、RT = 20kΩで、LOおよびHOが無負荷のときに適用されます。標準値は、TJ = 25°Cでの最も一般的なパラメータ基準値を表し、参考目的にのみ提供されています。
パラメータ テスト条件 MIN TYP MAX UNIT
VIN電源
ISHUTDOWN VINのシャットダウン電流 VUVLO = 0V 9 17 µA
IBIAS VINの動作電流（RT抵抗への電流を除く） VUVLO = 2V、非スイッチング 4 5 mA
VCCレギュレータ
VCC(REG) VCCレギュレーション 無負荷 6.9 7.6 8.3 V
VCCドロップアウト（VINからVCCへ） VVIN = 4.5V、外部負荷なし 0.25 V
VVIN = 4.5V、IVCC = 25mA 0.28 0.5 V
VCCのソース電流制限 VVCC = 0V 50 62 mA
IVCC VCCの動作電流（RT抵抗への電流を除く） VVCC = 8.3V 3.5 5 mA
VVCC = 12V 4.5 8 mA
VCC低電圧スレッショルド VCC立ち上がり、VVIN = 4.5V 3.9 4 4.1 V
VCC立ち下がり、VVIN = 4.5V 3.7 V
VCC低電圧ヒステリシス 0.385 V
低電圧誤動作防止
UVLOスレッショルド UVLO立ち上がり 1.17 1.2 1.23 V
UVLOヒステリシス電流 VUVLO = 1.4V 7 10 13 µA
UVLOスタンバイ・イネーブル・スレッショルド UVLO立ち上がり 0.3 0.4 0.5 V
UVLOスタンバイ・イネーブル・ヒステリシス 0.1 0.125 V
モード
ダイオード・エミュレーション・モードのスレッショルド MODE立ち上がり 1.2 1.24 1.28 V
ダイオード・エミュレーション・モードのヒステリシス 0.1 V
デフォルトのMODE電圧 145 155 170 mV
デフォルトのスキップ・サイクルのスレッショルド COMP立ち上がり、COMPで測定 1.290 V
COMP立ち下がり、COMPで測定 1.245 V
スキップ・サイクルのヒステリシス COMPで測定 40 mV
エラー・アンプ
VREF FB基準電圧 FBで測定、VFB = VCOMP 1.188 1.2 1.212 V
FB入力バイアス電流 VFB = VREF 5 nA
VOH COMP出力のHIGH電圧 ISOURCE = 2mA、VVCC = 4.5V 2.75 V
ISOURCE = 2mA、VVCC = 12V 3.4 V
VOL COMP出力のLOW電圧 ISINK = 2mA 0.25 V
AOL DCゲイン 80 dB
fBW ユニティ・ゲイン帯域幅 3 MHz
スレーブ・モード・スレッショルド FB立ち上がり 2.7 3.4 V
発振器
fSW1 スイッチング周波数1 RT = 20kΩ 400 450 500 kHz
fSW2 スイッチング周波数2 RT = 10kΩ 775 875 975 kHz
RT出力電圧 1.2 V
RT同期の立ち上がりスレッショルド RT立ち上がり 2.5 2.9 V
RT同期の立ち下がりスレッショルド RT立ち下がり 1.6 2 V
最小同期パルス幅 100 ns
SYNCOUT
SYNCOUTのHIGH状態電圧 ISYNCOUT = -1mA 3.3 4.3 V
SYNCOUTのLOW状態電圧 ISYNCOUT = 1mA 0.15 0.25 V
OPT
同期選択のスレッショルド OPT立ち上がり 2 3 4 V
勾配補償
SLOPE出力電圧 1.17 1.2 1.23 V
VSLOPE 勾配補償の振幅 RSLOPE = 20kΩ、fSW = 100kHz、50%のデューティ・サイクル、TJ = -40°C～125°C 1.375 1.65 1.925 V
RSLOPE = 20kΩ、fSW = 100kHz、50%のデューティ・サイクル、TJ = 25°C 1.4 1.65 1.9 V
ソフトスタート
ISS-SOURCE SS電流ソース VSS = 0V 7.5 10 12 µA
SS放電スイッチRDS-ON 13 Ω
PWMコンパレータ
tLO-OFF 強制LOオフ時間 VVCC = 5.5V 330 400 ns
VVCC = 4.5V 560 750 ns
tON-MIN 最小LOオン時間 RSLOPE = 20kΩ 150 ns
RSLOPE = 200kΩ 300 ns
COMPからPWMへの電圧降下 TJ = -40°C～125°C 0.95 1.1 1.25 V
TJ = 25°C 1 1.1 1.2 V
電流センス/サイクル単位の電流制限
VCS-TH1 サイクル単位の電流制限のスレッショルド CSPからCSNへ、TJ = -40°C～125°C 65.5 75 87.5 mV
CSPからCSNへ、TJ = 25°C 67 75 86 mV
VCS-ZCD ゼロ・クロス検出のスレッショルド CSPからCSNへ、立ち上がり 7 mV
CSPからCSNへ、立ち下がり 0.5 6 12 mV
電流センス・アンプのゲイン 10 V/V
ICSP CSP入力バイアス電流 12 µA
ICSN CSN入力バイアス電流 11 µA
バイアス電流マッチング ICSP – ICSN -1.75 1 3.75 µA
ICSP – ICSN (LM5122Zのみ) -2.5 1 8.75
CSからLOへの遅延 電流センス/電流制限遅延 150 ns
ヒカップ・モードでの再起動
VRES 再起動スレッショルド RESの立ち上がり 1.15 1.2 1.25 V
VHCP-UPPER ヒカップ・カウンタの上限スレッショルド RESの立ち上がり 4.2 V
RESの立ち上がり、
VVIN = VVCC = 4.5V		 3.6 V
VHCP-LOWER ヒカップ・カウンタの下限スレッショルド RESの立ち下がり 2.15 V
RESの立ち下がり、
VVIN = VVCC = 4.5V		 1.85 V
IRES-SOURCE1 RES電流ソース1 フォルト状態の充電電流 20 30 40 µA
IRES-SINK1 RES電流シンク1 通常状態の放電電流 5 µA
IRES-SOURCE2 RES電流ソース2 ヒカップ・モードのオフ時間充電電流 10 µA
IRES-SINK2 RES電流シンク2 ヒカップ・モードのオフ時間放電電流 5 µA
ヒカップ・サイクル 8 Cycles
RES放電スイッチRDS-ON 40 Ω
ヒカップ・モードのオフ時間と再起動遅延時間の比 122
HOゲート・ドライバ
VOHH HOのHIGH状態での電圧降下 IHO = -100mA、VOHH = VBST - VHO 0.15 0.24 V
VOLH HOのLOW状態での電圧降下 IHO = 100mA、VOLH = VHO - VSW 0.1 0.18 V
HO立ち上がり時間（10%から90%へ） CLOAD = 4700pF、VBST = 12V 25 ns
HO立ち下がり時間（90%から10%へ） CLOAD = 4700pF、VBST = 12V 20 ns
IOHH ピークHOソース電流 VHO = 0V、VSW = 0V、VBST = 4.5V 0.8 A
VHO = 0V、VSW = 0V、VBST = 7.6V 1.9 A
IOLH ピークHOシンク電流 VHO = VBST = 4.5V 1.9 A
VHO = VBST= 7.6V 3.2 A
IBST BSTチャージ・ポンプのソース電流 VVIN = VSW = 9V、VBST - VSW = 5V 100 200 µA
BSTチャージ・ポンプのレギュレーション BSTからSWへ、IBST= -70μA、
VVIN = VSW = 9V 		5.3 6.2 6.75 V
BSTからSWへ、IBST= -70μA、
VVIN = VSW = 12V 		7 8.5 9 V
BSTからSWへの低電圧 2 3 3.5 V
BST DCバイアス電流 VBST - VSW = 12V、VSW = 0V 30 45 µA
LOゲート・ドライバ
VOHL LOのHIGH状態での電圧降下 ILO = -100mA、VOHL = VVCC - VLO 0.15 0.25 V
VOLL LOのLOW状態での電圧降下 ILO = 100mA、VOLL = VLO 0.1 0.17 V
LO立ち上がり時間（10%から90%へ） CLOAD = 4700pF 25 ns
LO立ち下がり時間（90%から10%へ） CLOAD = 4700pF 20 ns
IOHL ピークLOソース電流 VLO = 0V、VVCC = 4.5V 0.8 A
VLO = 0V 2 A
IOLL ピークLOシンク電流 VLO = VVCC = 4.5V 1.8 A
VLO = VVCC 3.2 A
スイッチング特性
tDLH LOの立ち下がりからHOの立ち上がりまでの遅延 無負荷、50%から50%へ 50 80 115 ns
無負荷、50%から50%へ（LM5122Zのみ） 50 80 145
tDHL HOの立ち下がりからLOの立ち上がりまでの遅延 無負荷、50%から50%へ 60 80 105 ns
熱特性
TSD サーマル・シャットダウン 温度上昇 165 °C
サーマル・シャットダウンのヒステリシス 25 °C