JAJSDA4H February   2013  – June 2017 LM5122

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     アプリケーション概略図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
    1.     ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD定格: LM5122、LM5122Z
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  低電圧誤動作防止(UVLO)
      2. 7.3.2  高電圧VCCレギュレータ
      3. 7.3.3  発振器
      4. 7.3.4  勾配補償
      5. 7.3.5  エラー・アンプ
      6. 7.3.6  PWMコンパレータ
      7. 7.3.7  ソフトスタート
      8. 7.3.8  HOおよびLOドライバ
      9. 7.3.9  バイパス動作(VOUT = VIN)
      10. 7.3.10 サイクル単位の電流制限
      11. 7.3.11 クロック同期
      12. 7.3.12 最大デューティ・サイクル
      13. 7.3.13 過熱保護
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 MODE制御（強制PWMモードおよびダイオード・エミュレーション・モード）
      2. 7.4.2 モード制御（スキップ・サイクル・モードおよびパルス・スキッピング・モード）
      3. 7.4.3 ヒカップ・モードの過負荷保護
      4. 7.4.4 スレーブ・モードとSYNCOUT
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 帰還補償
      2. 8.1.2 分数調波の発振
      3. 8.1.3 インターリーブ昇圧構成
      4. 8.1.4 DCRの検出
      5. 8.1.5 出力過電圧保護
      6. 8.1.6 SEPICコンバータの概略回路図
      7. 8.1.7 非絶縁同期整流フライバック・コンバータの概略回路図
      8. 8.1.8 負から正への変換
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  WEBENCH®ツールによるカスタム設計
        2. 8.2.2.2  タイミング抵抗RT
        3. 8.2.2.3  UVLO分圧抵抗RUV2、RUV1
        4. 8.2.2.4  入力インダクタLIN
        5. 8.2.2.5  電流センス抵抗RS
        6. 8.2.2.6  電流センス・フィルタRCSFP、RCSFN、CCS
        7. 8.2.2.7  勾配補償抵抗RSLOPE
        8. 8.2.2.8  出力コンデンサCOUT
        9. 8.2.2.9  入力コンデンサCIN
        10. 8.2.2.10 VINフィルタRVIN、CVIN
        11. 8.2.2.11 ブートストラップ・コンデンサCBSTと、昇圧ダイオードDBST
        12. 8.2.2.12 VCCコンデンサCVCC
        13. 8.2.2.13 出力電圧分圧抵抗RFB1、RFB2
        14. 8.2.2.14 ソフトスタート・コンデンサCSS
        15. 8.2.2.15 再起動コンデンサCRES
        16. 8.2.2.16 ローサイド電力スイッチQL
        17. 8.2.2.17 ハイサイド電力スイッチQHと追加の並列ショットキー・ダイオード
        18. 8.2.2.18 スナバ部品
        19. 8.2.2.19 ループ補償部品CCOMP、RCOMP、CHF
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトの注意点
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 開発サポート
        1. 11.1.1.1 WEBENCH®ツールによるカスタム設計
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

5 ピン構成および機能

PWPパッケージ
20ピンHTSSOP、露出パッド付き
上面図
LM5122 Device_Information.gif
PWPパッケージ
24ピンHTSSOP、露出パッド付き
上面図
LM5122 LM5122Z-pinmap.gif

ピン機能

ピン 種類(1) 説明
名前 24ピン 20ピン
AGND 11 9 G アナログ・グランド接続。内部基準電圧およびアナログ回路のリターンです。
BST 24 20 P ブートストラップ・ゲート駆動のハイサイド・ドライバ電源。外付けブートストラップ・ダイオードのカソードと、ブートストラップ・コンデンサに接続します。ブートストラップ・コンデンサは、ハイサイドNチャネルMOSFETのゲートを充電する電流を供給するもので、可能な限りコントローラの近くに配置します。内部BSTチャージ・ポンプは、ブートストラップ・コンデンサにバイパス動作用の電流200µAを供給します。
COMP 13 11 O 内部のエラー・アンプの出力。このピンとFBピンとの間に、ループ補償回路を接続します。
CSN 4 3 I 電流センス・アンプの反転入力。電流センス抵抗の負の側に接続します。
CSP 5 4 I 電流センス・アンプの非反転入力。電流センス抵抗の正の側に接続します。
FB 12 10 I 帰還。内部エラー・アンプの反転入力。出力からこのピンへの分圧抵抗により、出力電圧レベルが設定されます。FBピンのレギュレーション・スレッショルドは1.2Vです。最初の電源オン時にFBピンの電圧が2.7Vよりも高い場合、コントローラはスレーブ・モードとして構成されます。
HO 23 19 O ハイサイドNチャネルMOSFETのゲート駆動出力。短い低インダクタンスのパスを通して、ハイサイドの同期整流NチャネルMOSFETスイッチのゲートに接続します。
LO 18 16 O ローサイドNチャネルMOSFETのゲート駆動出力。短い低インダクタンスのパスを通して、ローサイドのNチャネルMOSFETスイッチのゲートに接続します。
MODE 15 13 I スイッチング・モードの選択ピン。700kΩのプルアップおよび100kΩのプルダウン抵抗により、MODEピンは内部的にデフォルトで0.15Vに保持されます。外付けのプルアップまたはプルダウン抵抗を追加して、MODEピンの電圧をプログラムできます。MODEピンの電圧が、ダイオード・エミュレーション・モードのスレッショルドである1.2Vよりも高い場合、強制PWMモードが有効になり、電流はハイサイドNチャネルMOSFETスイッチを経由して、どちらの方向にも流れるようになります。MODEピンの電圧が1.2Vよりも低い場合、コントローラはダイオード・エミュレーション・モードで動作します。スキップ・サイクル・コンパレータはデフォルトでアクティブになります。MODEピンがグランドに接続されている場合、コントローラは依然としてダイオード・エミュレーション・モードで動作しますが、通常動作ではスキップ・サイクル・コンパレータはトリガされず、軽負荷時のパルス・スキップ動作が可能になります。
OPT 2 2 I クロック同期選択ピン。このピンにより、マスタ/スレーブ構成に関連するSYNCOUTも有効/無効になります。OPTピンはフローティング状態のままにしないでください。
PGND 17 15 G ローサイドNチャネルMOSFETゲート・ドライバのパワー・グランド接続ピン。ローサイドNチャネルMOSFETスイッチのソース端子に直接接続します。
RES 16 14 O 外部コンデンサの再起動タイマ・ピンで、過負荷状況でのヒカップ・モードのオフ時間と再起動遅延時間を設定します。ヒカップ・モードの動作が必要でない場合は、AGNDに直接接続します。
SLOPE 14 12 I 勾配補償は、SLOPEとAGNDとの間の単一の抵抗によりプログラムされます。
SS 9 7 I ソフトスタート・プログラミング・ピン。外付けコンデンサと内部の10μA電流ソースにより、ソフトスタート時の内部エラー・アンプ・リファレンスのランプ・レートが設定されます。
SW 22 18 I/O 昇圧レギュレータのスイッチング・ノード。短い低インダクタンスのパスにより、ブートストラップ・コンデンサ、ハイサイドNチャネルMOSFETスイッチのソース端子、ローサイドNチャネルMOSFETスイッチのドレイン端子に接続します。
SYNCIN/RT 10 8 I 内部発振器の周波数は、RTとAGNDとの間の単一の抵抗によりプログラムされます。内部発振器は、このSYNCINピンに正のパルス信号を印加することで、外部クロックと同期できます。マスタ構成で推奨される最大の内部発振器の周波数は2MHzで、最大スイッチング周波数は1MHzになります。
SYNCOUT 1 1 O クロック出力ピン。SYNCOUTは、180°シフトしたクロック出力を、インターリーブ動作用に供給します。SYNCOUTを使用しないときは、フローティング状態のままでかまいません。「スレーブ・モードとSYNCOUT」セクションを参照してください。
UVLO 8 6 I 低電圧誤動作防止のプログラム用ピン。UVLOピンが0.4Vよりも低い場合、レギュレータはシャットダウン・モードになり、すべての機能が無効です。UVLOピンの電圧が0.4Vよりも高く、1.2Vよりも低い場合、レギュレータはスタンバイ・モードになり、VCCレギュレータは動作しますが、HOおよびLO出力でスイッチングは行われません。UVLOピンの電圧が1.2Vよりも高い場合、スタートアップ・シーケンスが開始されます。UVLOが1.2Vよりも高いとき、UVLOピンで10μAの電流ソースが有効になり、外付けのUVLO抵抗を流れて、ヒステリシスを提供します。UVLOピンはフローティング状態のままにしないでください。
VCC 19 17 P/O/I VCCバイアス電源ピン。低ESR/ESLのコンデンサを、可能な限りコントローラの近くに配置することで、PGNDへローカルにデカップリングします。
VIN 6 5 P/I VCCレギュレータの電源電圧入力ソース。短い低インピーダンスのパスを使用して、入力コンデンサおよびソース電源接続と接続します。
EP EP N/A パッケージの露出パッド。内部で電気的に接続されていません。熱抵抗を減らすため、大きなグランド・プレーンに半田付けする必要があります。
NC 3、7、20、21 — 電気的接続なし
(1) G = グランド、I = 入力、O = 出力、P = 電源