JAJSDA4H February 2013 – June 2017 LM5122
PRODUCTION DATA.
BSTピンとSWピンとの間のブートストラップ・コンデンサは、各サイクルのターンオン時にハイサイドNチャネルMOSFETデバイスを充電するためのゲート電流を供給するとともに、ブートストラップ・ダイオードの回復電荷を供給します。これらの電流のピークは、数アンペアになることがあります。ブートストラップ・コンデンサの推奨値は0.1μFです。配線のインダクタンスにより引き起こされる電圧過渡による損傷の可能性を最小限に抑えるため、CBSTには、良好な品質の、ESRの低いセラミック・コンデンサを使用し、デバイスのピンに配置する必要があります。ブートストラップ・コンデンサの最小値は次のように計算されます。
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この例では、BSTコンデンサの値(CBST)は0.1µFです。
DBSTの電圧定格は、ピークSWノード電圧 + 16Vより高い必要があります。バイパス動作には、低リークのダイオードが必須となります。DBSTのリーク電流は、BSTチャージ・ポンプが高温でも十分なハイサイド・ドライバ電源電圧を維持できるよう、十分に低い必要があります。出力電圧の高いアプリケーションでは、低リークのダイオードにより、シャットダウン時に過剰なVCC電圧が生じる可能性も避けられます。リークが大きすぎる場合、ツェナーVCCクランプまたはブリード抵抗が必要になることがあります。ハイサイド・ドライバ電源電圧は、最小入力電圧時に、ハイサイドNチャネルMOSFETスイッチのゲート・プラトーよりも高い必要があります。