JAJSDA4H February   2013  – June 2017 LM5122

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     アプリケーション概略図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
    1.     ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD定格: LM5122、LM5122Z
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  低電圧誤動作防止(UVLO)
      2. 7.3.2  高電圧VCCレギュレータ
      3. 7.3.3  発振器
      4. 7.3.4  勾配補償
      5. 7.3.5  エラー・アンプ
      6. 7.3.6  PWMコンパレータ
      7. 7.3.7  ソフトスタート
      8. 7.3.8  HOおよびLOドライバ
      9. 7.3.9  バイパス動作(VOUT = VIN)
      10. 7.3.10 サイクル単位の電流制限
      11. 7.3.11 クロック同期
      12. 7.3.12 最大デューティ・サイクル
      13. 7.3.13 過熱保護
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 MODE制御（強制PWMモードおよびダイオード・エミュレーション・モード）
      2. 7.4.2 モード制御（スキップ・サイクル・モードおよびパルス・スキッピング・モード）
      3. 7.4.3 ヒカップ・モードの過負荷保護
      4. 7.4.4 スレーブ・モードとSYNCOUT
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 帰還補償
      2. 8.1.2 分数調波の発振
      3. 8.1.3 インターリーブ昇圧構成
      4. 8.1.4 DCRの検出
      5. 8.1.5 出力過電圧保護
      6. 8.1.6 SEPICコンバータの概略回路図
      7. 8.1.7 非絶縁同期整流フライバック・コンバータの概略回路図
      8. 8.1.8 負から正への変換
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  WEBENCH®ツールによるカスタム設計
        2. 8.2.2.2  タイミング抵抗RT
        3. 8.2.2.3  UVLO分圧抵抗RUV2、RUV1
        4. 8.2.2.4  入力インダクタLIN
        5. 8.2.2.5  電流センス抵抗RS
        6. 8.2.2.6  電流センス・フィルタRCSFP、RCSFN、CCS
        7. 8.2.2.7  勾配補償抵抗RSLOPE
        8. 8.2.2.8  出力コンデンサCOUT
        9. 8.2.2.9  入力コンデンサCIN
        10. 8.2.2.10 VINフィルタRVIN、CVIN
        11. 8.2.2.11 ブートストラップ・コンデンサCBSTと、昇圧ダイオードDBST
        12. 8.2.2.12 VCCコンデンサCVCC
        13. 8.2.2.13 出力電圧分圧抵抗RFB1、RFB2
        14. 8.2.2.14 ソフトスタート・コンデンサCSS
        15. 8.2.2.15 再起動コンデンサCRES
        16. 8.2.2.16 ローサイド電力スイッチQL
        17. 8.2.2.17 ハイサイド電力スイッチQHと追加の並列ショットキー・ダイオード
        18. 8.2.2.18 スナバ部品
        19. 8.2.2.19 ループ補償部品CCOMP、RCOMP、CHF
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトの注意点
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 開発サポート
        1. 11.1.1.1 WEBENCH®ツールによるカスタム設計
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

8.2.2.16 ローサイド電力スイッチQL

異なるデバイスの相対効率を比較する方法の1つは、損失の詳細を検討して電力NチャネルMOSFETデバイスを選択することです。ローサイドNチャネルMOSFETデバイスでの損失は、伝導損失とスイッチング損失に分けられます。

ローサイドの伝導損失は、次のように概算されます。

Equation 40. LM5122 eq86_nvs954.gif

ここで、Dはデューティ・サイクルで、係数1.3はNチャネルMOSFETデバイスの発熱によるオン抵抗の増大を表します。または、NチャネルMOSFETのデータシートにあるRDS (ON)と温度の関係を示す曲線から、NチャネルMOSFETデバイスの高温でのオン抵抗を推定できれば、係数1.3を除去できます。

スイッチング損失は、ローサイドNチャネルMOSFETデバイスがオン/オフする短い遷移期間に発生します。この遷移期間において、NチャネルMOSFETデバイスのチャネルには、電流と電圧の両方が存在します。ローサイドのスイッチング損失は、次のように概算されます。

Equation 41. LM5122 eq101_nvs954.gif

tRおよびtFは、ローサイドNチャネルMOSFETデバイスの立ち上がりおよび立ち下がり時間です。立ち上がりおよび立ち下がり時間は通常、NチャネルMOSFETのデータシートに記載されているか、オシロスコープにより実験的に観測できます。

SWノードでの負の電圧スパイクを最小化するため、ローサイドNチャネルMOSFETスイッチと並列にショットキー・ダイオードを追加し、ソースとドレインに短い配線で接続します。