• Menu
  • Product
  • Email
  • PDF
  • Order now

  • CSD25501F3 -20V P チャネル FemtoFET™ MOSFET

    • JAJSDZ2C October   2017  – June 2024 CSD25501F3

      PRODUCTION DATA  

  • CONTENTS
  • SEARCH
  • CSD25501F3 -20V P チャネル FemtoFET™ MOSFET
  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 5.2 サポート・リソース
    3. 5.3 Trademarks
    4. 5.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 5.5 用語集
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
  9. 重要なお知らせ
search No matches found.
  • Full reading width
    • Full reading width
    • Comfortable reading width
    • Expanded reading width
  • Card for each section
  • Card with all content

 

Data Sheet

CSD25501F3 -20V P チャネル FemtoFET™ MOSFET

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

最新の英語版をダウンロード

1 特長

  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.7mm × 0.6mm
  • 薄型
    • 最大高 0.22mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS に準拠

2 アプリケーション

  • ロード・スイッチ・アプリケーションに最適
  • バッテリ・アプリケーション
  • ハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション

 
Texas Instruments

© Copyright 1995-2025 Texas Instruments Incorporated. All rights reserved.
Submit documentation feedback | IMPORTANT NOTICE | Trademarks | Privacy policy | Cookie policy | Terms of use | Terms of sale