JAJSE04G January   2017  – January 2023 TMS320F280040-Q1 , TMS320F280040C-Q1 , TMS320F280041 , TMS320F280041-Q1 , TMS320F280041C , TMS320F280041C-Q1 , TMS320F280045 , TMS320F280048-Q1 , TMS320F280048C-Q1 , TMS320F280049 , TMS320F280049-Q1 , TMS320F280049C , TMS320F280049C-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1. 3.1 機能ブロック図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイスの比較
    1. 5.1 関連製品
  6. 6 ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2. 6.2 ピン属性
    3. 6.3 信号の説明
      1. 6.3.1 アナログ信号
      2. 6.3.2 デジタル信号
      3. 6.3.3 電源およびグランド
      4. 6.3.4 テスト、JTAG、リセット
    4. 6.4 ピン多重化
      1. 6.4.1 GPIO 多重化ピン
      2. 6.4.2 ADCピンのデジタル入力 (AIO)
      3. 6.4.3 GPIO 入力クロスバー
      4. 6.4.4 GPIO 出力クロスバーおよび ePWM クロスバー
    5. 6.5 内部プルアップおよびプルダウン付きのピン
    6. 6.6 未使用ピンの接続
  7. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格 - 民生用
    3. 7.3  ESD 定格 - 車載用
    4. 7.4  推奨動作条件
    5. 7.5  消費電力の概略
      1. 7.5.1 システム消費電流 (外部電源)
      2. 7.5.2 システム消費電流 (内部 VREG)
      3. 7.5.3 システム消費電流 (DCDC)
      4. 7.5.4 動作モード・テストの説明
      5. 7.5.5 消費電流のグラフ
      6. 7.5.6 消費電流の低減
        1. 7.5.6.1 各ペリフェラルをディセーブルした場合の標準 IDD 電流低減 (100MHz SYSCLK 時)
    6. 7.6  電気的特性
    7. 7.7  熱抵抗特性
      1. 7.7.1 PZ パッケージ
      2. 7.7.2 PM パッケージ
      3. 7.7.3 RSH パッケージ
    8. 7.8  熱設計の検討事項
    9. 7.9  システム
      1. 7.9.1 パワー・マネージメント・モジュール (PMM)
        1. 7.9.1.1 概要
        2. 7.9.1.2 概要
          1. 7.9.1.2.1 電源レール監視
            1. 7.9.1.2.1.1 I/O POR (パワーオン・リセット) 監視
            2. 7.9.1.2.1.2 I/O BOR (ブラウンアウト・リセット) 監視
            3. 7.9.1.2.1.3 VDD POR (パワーオン・リセット) 監視
          2. 7.9.1.2.2 外部監視回路の使用
          3. 7.9.1.2.3 遅延ブロック
          4. 7.9.1.2.4 内部1.2V LDO 電圧レギュレータ (VREG)
          5. 7.9.1.2.5 VREGENZ
          6. 7.9.1.2.6 内部 1.2V スイッチング・レギュレータ (DC-DC)
            1. 7.9.1.2.6.1 PCBレイアウトとコンポーネントのガイドライン
        3. 7.9.1.3 外付け部品
          1. 7.9.1.3.1 デカップリング・コンデンサ
            1. 7.9.1.3.1.1 VDDIO デカップリング
            2. 7.9.1.3.1.2 VDD デカップリング
        4. 7.9.1.4 電源シーケンス
          1. 7.9.1.4.1 電源ピンの一括接続
          2. 7.9.1.4.2 信号ピンの電源シーケンス
          3. 7.9.1.4.3 電源ピンの電源シーケンス
            1. 7.9.1.4.3.1 外部 VREG/VDD モード・シーケンス
            2. 7.9.1.4.3.2 内部 VREG/VDD モード・シーケンス
            3. 7.9.1.4.3.3 電源シーケンスの概要と違反の影響
            4. 7.9.1.4.3.4 電源スルーレート
        5. 7.9.1.5 パワー・マネージメント・モジュールの電気的データおよびタイミング
          1. 7.9.1.5.1 パワー・マネージメント・モジュールの動作条件
          2. 7.9.1.5.2 パワー・マネージメント・モジュールの特性
          3.        電源電圧
      2. 7.9.2 リセット・タイミング
        1. 7.9.2.1 リセット・ソース
        2. 7.9.2.2 リセットの電気的データおよびタイミング
          1. 7.9.2.2.1 リセット (XRSn) のタイミング要件
          2. 7.9.2.2.2 リセット (XRSn) のスイッチング特性
          3. 7.9.2.2.3 リセットのタイミング図
      3. 7.9.3 クロック仕様
        1. 7.9.3.1 クロック・ソース
        2. 7.9.3.2 クロック周波数、要件、および特性
          1. 7.9.3.2.1 入力クロック周波数およびタイミング要件、PLL ロック時間
            1. 7.9.3.2.1.1 入力クロック周波数
            2. 7.9.3.2.1.2 水晶発振器の特性
            3. 7.9.3.2.1.3 X1 のタイミング要件
            4. 7.9.3.2.1.4 PLL ロック時間
          2. 7.9.3.2.2 内部クロック周波数
            1. 7.9.3.2.2.1 内部クロック周波数
          3. 7.9.3.2.3 出力クロックの周波数およびスイッチング特性
            1. 7.9.3.2.3.1 XCLKOUT のスイッチング特性
        3. 7.9.3.3 入力クロックおよび PLL
        4. 7.9.3.4 水晶 (XTAL) 発振回路
          1. 7.9.3.4.1 概要
          2. 7.9.3.4.2 概要
            1. 7.9.3.4.2.1 電気発振回路
              1. 7.9.3.4.2.1.1 動作モード
                1. 7.9.3.4.2.1.1.1 水晶動作モード
                2. 7.9.3.4.2.1.1.2 シングルエンド動作モード
              2. 7.9.3.4.2.1.2 XCLKOUT での XTAL 出力
            2. 7.9.3.4.2.2 水晶振動子
            3. 7.9.3.4.2.3 GPIO 動作モード
          3. 7.9.3.4.3 機能動作
            1. 7.9.3.4.3.1 ESR – 等価直列抵抗
            2. 7.9.3.4.3.2 Rneg – 負性抵抗
            3. 7.9.3.4.3.3 起動時間
            4. 7.9.3.4.3.4 DL – 励振レベル
          4. 7.9.3.4.4 水晶振動子の選択方法
          5. 7.9.3.4.5 テスト
          6. 7.9.3.4.6 一般的な問題とデバッグのヒント
          7. 7.9.3.4.7 水晶発振回路の仕様
            1. 7.9.3.4.7.1 水晶発振器のパラメータ
            2. 7.9.3.4.7.2 水晶振動子の等価直列抵抗 (ESR) 要件
            3. 7.9.3.4.7.3 水晶発振器の電気的特性
        5. 7.9.3.5 内部発振器
          1. 7.9.3.5.1 INTOSC の特性
      4. 7.9.4 フラッシュ・パラメータ
      5. 7.9.5 エミュレーション / JTAG
        1. 7.9.5.1 JTAG の電気的データおよびタイミング
          1. 7.9.5.1.1 JTAG のタイミング要件
          2. 7.9.5.1.2 JTAG のスイッチング特性
          3. 7.9.5.1.3 JTAG のタイミング条件
        2. 7.9.5.2 cJTAG の電気的データおよびタイミング
          1. 7.9.5.2.1 cJTAG のタイミング要件
          2. 7.9.5.2.2 cJTAG のスイッチング特性
          3. 7.9.5.2.3 cJTAG のタイミング図
      6. 7.9.6 GPIO の電気的データおよびタイミング
        1. 7.9.6.1 GPIO - 出力タイミング
          1. 7.9.6.1.1 汎用出力のスイッチング特性
        2. 7.9.6.2 GPIO - 入力タイミング
          1. 7.9.6.2.1 汎用入力のタイミング要件
        3. 7.9.6.3 入力信号のサンプリング・ウィンドウ幅
      7. 7.9.7 割り込み
        1. 7.9.7.1 外部割り込み (XINT) の電気的データおよびタイミング
          1. 7.9.7.1.1 外部割り込みのタイミング要件
          2. 7.9.7.1.2 外部割り込みのスイッチング特性
          3. 7.9.7.1.3 割り込みのタイミング図
      8. 7.9.8 低消費電力モード
        1. 7.9.8.1 クロック・ゲーティング低消費電力モード
        2. 7.9.8.2 低消費電力モードのウェークアップ・タイミング
          1. 7.9.8.2.1 アイドル・モードのタイミング要件
          2. 7.9.8.2.2 IDLE モードのスイッチング特性
          3. 7.9.8.2.3 アイドル・モードのタイミング図
          4. 7.9.8.2.4 ホールト・モードのタイミング要件
          5. 7.9.8.2.5 ホールト・モードのスイッチング特性
          6. 7.9.8.2.6 ホールト・モードのタイミング図
    10. 7.10 アナログ・ペリフェラル
      1. 7.10.1 A/D コンバータ (ADC)
        1. 7.10.1.1 結果レジスタのマッピング
        2. 7.10.1.2 ADC の構成可能性
          1. 7.10.1.2.1 信号モード
        3. 7.10.1.3 ADC の電気的データおよびタイミング
          1. 7.10.1.3.1 ADC の動作条件
          2. 7.10.1.3.2 ADC の特性
          3. 7.10.1.3.3 ADC 入力モデル
          4. 7.10.1.3.4 ADC のタイミング図
      2. 7.10.2 プログラマブル・ゲイン・アンプ (PGA)
        1. 7.10.2.1 PGA の電気的データおよびタイミング
          1. 7.10.2.1.1 PGA の動作条件
          2. 7.10.2.1.2 PGAの特性
          3. 7.10.2.1.3 PGA の代表的特性グラフ
      3. 7.10.3 温度センサ
        1. 7.10.3.1 温度センサの電気的データおよびタイミング
          1. 7.10.3.1.1 温度センサの特性
      4. 7.10.4 バッファ付き D/A コンバータ (DAC)
        1. 7.10.4.1 バッファ付き DAC の電気的データおよびタイミング
          1. 7.10.4.1.1 バッファ付き DAC の動作条件
          2. 7.10.4.1.2 バッファ付き DAC の電気的特性
          3. 7.10.4.1.3 バッファ付き DAC の説明グラフ
          4. 7.10.4.1.4 バッファ付きDACの代表的特性グラフ
      5. 7.10.5 コンパレータ・サブシステム (CMPSS)
        1. 7.10.5.1 CMPSS の電気的データおよびタイミング
          1. 7.10.5.1.1 コンパレータの電気的特性
          2. 7.10.5.1.2 CMPSS DAC の静的電気特性
          3. 7.10.5.1.3 CMPSS の説明用グラフ
    11. 7.11 制御ペリフェラル
      1. 7.11.1 拡張キャプチャ (eCAP)
        1. 7.11.1.1 eCAP の電気的データおよびタイミング
          1. 7.11.1.1.1 eCAP のタイミング要件
          2. 7.11.1.1.2 eCAP のスイッチング特性
      2. 7.11.2 高分解能キャプチャ・サブモジュール (HRCAP6–HRCAP7)
        1. 7.11.2.1 HRCAP の電気的データおよびタイミング
          1. 7.11.2.1.1 HRCAP のスイッチング特性
      3. 7.11.3 拡張パルス幅変調器 (ePWM)
        1. 7.11.3.1 制御ペリフェラルの同期
        2. 7.11.3.2 ePWM の電気的データおよびタイミング
          1. 7.11.3.2.1 ePWM のタイミング要件
          2. 7.11.3.2.2 ePWM のスイッチング特性
          3. 7.11.3.2.3 トリップ・ゾーン入力のタイミング
            1. 7.11.3.2.3.1 トリップ・ゾーン入力のタイミング要件
        3. 7.11.3.3 外部 ADC 変換開始の電気的データおよびタイミング
          1. 7.11.3.3.1 外部 ADC 変換開始のスイッチング特性
      4. 7.11.4 高分解能パルス幅変調器 (HRPWM)
        1. 7.11.4.1 HRPWM の電気的データおよびタイミング
          1. 7.11.4.1.1 高分解能 PWM の特性
      5. 7.11.5 拡張直交エンコーダ・パルス (eQEP)
        1. 7.11.5.1 eQEP の電気的データおよびタイミング
          1. 7.11.5.1.1 eQEP のタイミング要件
          2. 7.11.5.1.2 eQEP のスイッチング特性
      6. 7.11.6 シグマ-デルタ・フィルタ・モジュール (SDFM)
        1. 7.11.6.1 SDFM の電気的データおよびタイミング
          1. 7.11.6.1.1 非同期 GPIO (ASYNC) オプション使用時の SDFM のタイミング要件
          2. 7.11.6.1.2 SDFM のタイミング図
        2. 7.11.6.2 SDFM の電気的データおよびタイミング (同期 GPIO)
          1. 7.11.6.2.1 同期 GPIO (SYNC) オプション使用時の SDFM のタイミング要件
    12. 7.12 通信ペリフェラル
      1. 7.12.1 CAN (Controller Area Network)
      2. 7.12.2 I2C (Inter-Integrated Circuit)
        1. 7.12.2.1 I2C の電気的データおよびタイミング
          1. 7.12.2.1.1 I2C のタイミング要件
          2. 7.12.2.1.2 I2C のスイッチング特性
          3. 7.12.2.1.3 I2C のタイミング図
      3. 7.12.3 PMBus (Power-Management Bus) インターフェイス
        1. 7.12.3.1 PMBus の電気的データおよびタイミング
          1. 7.12.3.1.1 PMBus の電気的特性
          2. 7.12.3.1.2 PMBus ファースト・モードのスイッチング特性
          3. 7.12.3.1.3 PMBus 標準モードのスイッチング特性
      4. 7.12.4 シリアル通信インターフェイス (SCI)
      5. 7.12.5 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
        1. 7.12.5.1 SPI の電気的データおよびタイミング
          1. 7.12.5.1.1 非高速マスタ・モードのタイミング
            1. 7.12.5.1.1.1 SPI マスタ・モードのスイッチング特性 (クロック位相 = 0)
            2. 7.12.5.1.1.2 SPI マスタ・モードのスイッチング特性 (クロック位相 = 1)
            3. 7.12.5.1.1.3 SPI マスタ・モードのタイミング要件
          2. 7.12.5.1.2 非高速スレーブ・モードのタイミング
            1. 7.12.5.1.2.1 SPI スレーブ・モードのスイッチング特性
            2. 7.12.5.1.2.2 SPI スレーブ・モードのタイミング要件
          3. 7.12.5.1.3 高速マスタ・モードのタイミング
            1. 7.12.5.1.3.1 SPI 高速マスタ・モードのスイッチング特性 (クロック位相 = 0)
            2. 7.12.5.1.3.2 SPI 高速マスタ・モードのスイッチング特性 (クロック位相 = 1)
            3. 7.12.5.1.3.3 SPI 高速マスタ・モードのタイミング要件
          4. 7.12.5.1.4 高速スレーブ・モードのタイミング
            1. 7.12.5.1.4.1 SPI 高速スレーブ・モードのスイッチング特性
            2. 7.12.5.1.4.2 SPI 高速スレーブ・モードのタイミング要件
      6. 7.12.6 LIN (Local Interconnect Network)
      7. 7.12.7 高速シリアル・インターフェイス (FSI)
        1. 7.12.7.1 FSI トランスミッタ
          1. 7.12.7.1.1 FSITX の電気的データおよびタイミング
            1. 7.12.7.1.1.1 FSITX のスイッチング特性
        2. 7.12.7.2 FSI レシーバ
          1. 7.12.7.2.1 FSIRX の電気的データおよびタイミング
            1. 7.12.7.2.1.1 FSIRX のスイッチング特性
            2. 7.12.7.2.1.2 FSIRX のタイミング要件
        3. 7.12.7.3 FSI SPI 互換モード
          1. 7.12.7.3.1 FSITX SPI 信号モードの電気的データおよびタイミング
            1. 7.12.7.3.1.1 FSITX SPI 信号モードのスイッチング特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1  概要
    2. 8.2  機能ブロック図
    3. 8.3  メモリ
      1. 8.3.1 C28x メモリ・マップ
      2. 8.3.2 制御補償器アクセラレータ (CLA) ROM メモリ・マップ
      3. 8.3.3 フラッシュ・メモリ・マップ
      4. 8.3.4 ペリフェラル・レジスタのメモリ・マップ
      5. 8.3.5 メモリ・タイプ
        1. 8.3.5.1 専用RAM (Mx RAM)
        2. 8.3.5.2 ローカル共有 RAM (LSx RAM)
        3. 8.3.5.3 グローバル共有 RAM (GSx RAM)
        4. 8.3.5.4 CLA メッセージ RAM (CLA MSGRAM)
    4. 8.4  識別
    5. 8.5  バス・アーキテクチャ – ペリフェラル・コネクティビティ
    6. 8.6  C28x プロセッサ
      1. 8.6.1 組み込みリアルタイム解析および診断 (ERAD)
      2. 8.6.2 浮動小数点演算ユニット (FPU)
      3. 8.6.3 三角関数演算ユニット (TMU)
      4. 8.6.4 ビタビ、複素演算、CRC ユニット (VCU-I)
    7. 8.7  制御補償器アクセラレータ (CLA)
    8. 8.8  ダイレクト・メモリ・アクセス (DMA)
    9. 8.9  ブート ROM およびペリフェラル・ブート
      1. 8.9.1 代替ブート・モード選択ピンの構成
      2. 8.9.2 代替ブート・モード・オプションの構成
      3. 8.9.3 GPIO の割り当て
    10. 8.10 デュアル・コード・セキュリティ・モジュール
    11. 8.11 ウォッチドッグ
    12. 8.12 構成可能ロジック・ブロック (CLB)
    13. 8.13 機能安全
  9. 9 アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 デバイスの主な特長
    2. 9.2 アプリケーション情報
      1. 9.2.1 代表的なアプリケーション
        1. 9.2.1.1 サーバー・テレコム電源ユニット (PSU)
          1. 9.2.1.1.1 システム・ブロック図
          2. 9.2.1.1.2 サーバーおよびテレコム PSU (電源) のリソース
        2. 9.2.1.2 単相オンライン UPS
          1. 9.2.1.2.1 システム・ブロック図
          2. 9.2.1.2.2 単相オンライン UPS のリソース
        3. 9.2.1.3 ソーラー・マイクロ・インバータ
          1. 9.2.1.3.1 システム・ブロック図
          2. 9.2.1.3.2 ソーラー・マイクロ・インバータのリソース
        4. 9.2.1.4 EV 充電ステーション向けパワー・モジュール
          1. 9.2.1.4.1 システム・ブロック図
          2. 9.2.1.4.2 EV 充電ステーション向けパワー・モジュール資料
        5. 9.2.1.5 サーボ・ドライブ制御モジュール
          1. 9.2.1.5.1 システム・ブロック図
          2. 9.2.1.5.2 サーボ・ドライブ制御モジュールのリソース
  10. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイスおよび開発ツールの命名規則
    2. 10.2 マーキング
    3. 10.3 ツールとソフトウェア
    4. 10.4 ドキュメントのサポート
    5. 10.5 サポート・リソース
    6. 10.6 商標
    7. 10.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 10.8 用語集
  11. 11メカニカル、パッケージ、および注文に関する情報
    1. 11.1 パッケージ情報
9.2.1.4.2 EV 充電ステーション向けパワー・モジュール資料

リファレンス・デザインと関連トレーニング・ビデオ

TIDM-02002 CLLLC 共振デュアル・アクティブ・ブリッジ、HEV/EV オンボード・チャージャ( ビデオ)
双方向の電源フロー能力とソフト・スイッチング特性を持つ CLLLC 共振 DAB は、ハイブリッド電気自動車 / 電気自動車 (HEV/EV) のオンボード・チャージャおよびエネルギー・ストレージ・アプリケーションに理想的な候補です。このデザインでは、閉電圧および閉電流ループ・モードで C2000™ MCU を使ってこの電源トポロジを制御する方法を示します。このリファレンス・デザインのハードウェアとソフトウェアは開発期間の短縮を可能にします。

TIDA-01606 10kW、双方向 3 相 3 レベル (T タイプ) インバータおよび PFC のリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、双方向 3 レベル、3 相、SiC ベースのアクティブ・フロント・エンド (AFE) インバータおよび PFC 段を実装する方法の概要を示します。このデザインでは、50kHz のスイッチング周波数と LCL 出力フィルタを使用して、磁気素子のサイズを縮小しています。99%のピーク効率を達成しています。このデザインは、DQ ドメインに完全な 3 相 AFE 制御を実装する方法を示しています。制御とソフトウェアは、実際のハードウェアと、ループ内ハードウェア (HIL) のセットアップ上で検証されます。

TIDA-010210 GaN をベースとする 11kW、双方向、3 相 ANPC のリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、3 レベル、3 相、GaN (窒化ガリウム) をベースとする ANPC インバータの電力段を実装するための設計テンプレートを提供します。高速スイッチング・パワー・デバイスを使用すると、100kHz という高い周波数でパワー・デバイスのスイッチングが可能になります。この場合、フィルタで使用する磁気素子のサイズを小型化して、電力段の電力密度を高めることができます。マルチレベル・トポロジー採用により、600V 定格のパワー・デバイスを、最大 1,000V というそれより高い DC バス電圧で使用できるようになります。スイッチング電圧ストレスが低いことでスイッチング損失の低減につながり、その結果、98.5% というピーク効率を達成しています。

TIDA-010054 レベル 3 電気自動車充電ステーション向け双方向デュアル・アクティブ・ブリッジのリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、単相デュアル・アクティブ・ブリッジ (DAB) DC-DC コンバータの実装の概要を示します。DAB トポロジには、ソフト・スイッチング整流、デバイス数の削減、高効率といった利点があります。この設計は、電力密度、コスト、重量、ガルバニック絶縁、高い電圧変換比、信頼性が重要な要因になる場合に役立ち、EV (電気自動車) の充電ステーションやエネルギー・ストレージのアプリケーションに最適です。DAB にモジュール方式と対称構造を取り入れることで、コンバータを積層して高い電力スループットを達成でき、双方向モードの動作が容易になり、バッテリ充放電のアプリケーションをサポートできます。

C2000™ MCU - 電気自動車 (EV) トレーニング・ビデオ (ビデオ)
C2000™ MCU に関するこのビデオ・コレクションは、電気自動車 (EV) 特有のトレーニングを英語と中国語の両方で取り扱っています。

レベル 3 EV 充電ステーションの電力の最大化
この記事では、C2000 の豊富なポートフォリオを紹介し、エンジニアが設計上の課題を解決して高度な電源トポロジを実装するのに役立つ最適なソリューションを提供していることを説明します。

電気自動車充電ステーションの電源トポロジに関する考慮事項アプリケーション・レポート
このアプリケーション・レポートでは、高速 DC 充電ステーションを設計するためのビルディング・ブロックとして機能するパワー・モジュールを設計する際のトポロジに関する考慮事項について説明します。

TIDM-02000 C2000™ リアルタイム MCU を使用したピーク電流モード制御位相シフト・フルブリッジのリファレンス・デザイン
このデザインは、デジタル・ピーク電流モード制御 (PCMC) 位相シフト・フルブリッジ (PSFB) DCｰDC コンバータを実装し、400V DC 入力を安定化 12V DC 出力に変換します。この設計の主眼は、タイプ 4 PWM をベースとして内部スロープ補償機能を搭載した斬新な PCMC 波形生成と、シンプルな PCMC の実装です。C2000 リアルタイム・マイクロコントローラ・ファミリに属する TMS320F280049C MCU を使用します。

TIDUEG2C TIDM-02002 HEV/EV オンボード・チャージャ向け双方向 CLLLC 共振デュアル・アクティブ・ブリッジ (DAB) のリファレンス・デザイン
双方向の電源フロー能力とソフト・スイッチング特性を持つ CLLLC 共振 DAB は、ハイブリッド電気自動車 / 電気自動車 (HEV/EV) のオンボード・チャージャおよびエネルギー・ストレージ・アプリケーションに理想的な候補です。このデザインでは、閉電圧および閉電流ループ・モードで C2000™ MCU を使ってこの電源トポロジを制御する方法を示します。このリファレンス・デザインのハードウェアとソフトウェアは開発期間の短縮を可能にします。

TIDM-1000 C2000 MCUを使ったウィーン整流器をベース とする 3 相力率改善のリファレンス・デザイン
ウィーン整流器の電源トポロジは、オフボード電気自動車充電やテレコム用整流器など、大電力の 3 相力率改善アプリケーションで使用されます。このデザインは、C2000 MCU を使用してウィーン整流器を制御する方法を示します。