JAJSEA8I December   2017  – July 2024 LMV321A , LMV324A , LMV358A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報：LMV321A
    5. 5.5 熱に関する情報：LMV358A
    6. 5.6 熱に関する情報：LMV324A
    7. 5.7 電気的特性
    8. 5.8 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 動作電圧
      2. 6.3.2 入力同相範囲
      3. 6.3.3 レール・ツー・レール出力
      4. 6.3.4 過負荷からの回復
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 LMV3xxA ローサイド電流検出アプリケーション
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.2.2 単一電源のフォトダイオード・アンプ
        1. 7.2.2.1 設計要件
        2. 7.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
      1. 7.3.1 入力および ESD 保護
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントのサポート
      1. 8.1.1 関連資料
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.5 熱に関する情報：LMV358A

熱評価基準 (1)LMV358A単位
D (SOIC)DGK (VSSOP)PW (TSSOP)DDF (SOT-23)
8 ピン8 ピン8 ピン8 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗147.4201.2205.8183.7°C/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗94.385.7106.7112.5°C/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗89.5122.9133.998.2°C/W
ψJT接合部から上面への熱特性パラメータ47.321.234.418.8°C/W
ψJB接合部から基板への熱特性パラメータ89121.4132.697.6°C/W
(1) 従来および新しい熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』を参照してください。