JAJSER7D November   2018  – January 2019 LMG1210

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      代表的なアプリケーションの概略図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要（続き）
  6. 6 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Switching Characteristics
    7. 7.7 Typical Characteristics
    8. 7.8 Timing Diagrams
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Bootstrap Diode Operation
      2. 8.3.2 LDO Operation
      3. 8.3.3 Dead Time Selection
      4. 8.3.4 Overtemperature Protection
      5. 8.3.5 High-Performance Level Shifter
      6. 8.3.6 Negative HS Voltage Handling
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Bypass Capacitor
        2. 9.2.2.2 Bootstrap Diode Selection
        3. 9.2.2.3 Handling Ground Bounce
        4. 9.2.2.4 Independent Input Mode
        5. 9.2.2.5 Computing Power Dissipation
      3. 9.2.3 Application Curves
    3. 9.3 Do's and Don'ts
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 コミュニティ・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

3 概要

超高周波数高効率アプリケーション用に設計された LMG1210 は、調整可能なデッドタイム機能、非常に小さい伝播遅延、3.4ns のハイサイドとローサイドのマッチングといったシステム効率を最適化する特長を備えた、200V のハーフ・ブリッジ MOSFET および窒化ガリウム電界効果トランジスタ (GaN FET) ドライバです。この製品は、電源電圧にかかわらず 5V の電圧で確実にゲートを駆動する LDO も備えています。

各種のアプリケーションで最高の性能を実現するため、LMG1210 では設計者が、ハイサイドのブートストラップ・コンデンサを充電するために最適なブートストラップ・ダイオードを選択できます。ローサイドがオフのときは内部スイッチによりブートストラップ・ダイオードがオフになり、ハイサイド・ブートストラップの過充電を効果的に阻止するとともに、逆方向回復充電を最小限にします。スイッチング損失の増大を抑えるため、GaN FET 両端での追加寄生容量が 1pF 未満に最小化されています。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ（公称）
LMG1210 WQFN (19) 3.00mm×4.00mm
  1. 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。