JAJSEW4D May 2017 – September 2024 AWR1642
PRODUCTION DATA
パラメータ (1)(2) | 最小値 | 最大値 | 単位 | |
---|---|---|---|---|
VDDIN | 1.2V デジタル電源 | -0.5 | 1.4 | V |
VIN_SRAM | 内蔵 SRAM 用 1.2V 電源レール | -0.5 | 1.4 | V |
VNWA | SRAM アレイのバック バイアス用 1.2V 電源レール | -0.5 | 1.4 | V |
VIOIN | I/O 電源 (3.3V または 1.8V):すべての CMOS I/O はこの電源で動作します。 | -0.5 | 3.8 | V |
VIOIN_18 | CMOS IO 用 1.8V 電源 | -0.5 | 2 | V |
VIN_18CLK | クロック モジュール用 1.8V 電源 | -0.5 | 2 | V |
VIOIN_18DIFF | LVDS ポート用 1.8V 電源 | -0.5 | 2 | V |
VIN_13RF1 | 1.3V アナログおよび RF 電源、VIN_13RF1 と VIN_13RF2 が基板上で短絡する可能性があります。 | -0.5 | 1.45 | V |
VIN_13RF2 | ||||
VIN_13RF1 | 1V 内部 LDO バイパス モード。デバイスは、外付けのパワー マネージメント ブロックが VIN_13RF1 と VIN_13RF2 レールに 1V を供給できるモードをサポートしています。この構成では、デバイスの内部 LDO はバイパスされたままになります。 | -0.5 | 1.4 | V |
VIN_13RF2 | ||||
VIN_18BB | 1.8V アナログ ベースバンド電源 | -0.5 | 2 | V |
VIN_18VCO 電源 | 1.8V RF VCO 電源 | -0.5 | 2 | V |
RX1-4 | RF 入力の外部印加電力 | 10 | dBm | |
TX1-3 | RF 出力の外部印加電力 (3) | 10 | dBm | |
入力および出力電圧範囲 | デュアル電圧 LVCMOS 入力、3.3V または 1.8V (定常状態) | -0.3 V | VIOIN + 0.3 | V |
デュアル電圧 LVCMOS 入力。3.3V/1.8V (過渡オーバーシュート / アンダーシュート) または外部発振器入力で動作します。 | VIOIN + 20% 信号周期の 20% まで | |||
CLKP、CLKM | リファレンス水晶振動子用入力ポート | -0.5 | 2 | V |
クランプ電流 | それぞれの電源レールを 0.3V 上回るまたは下回る入力または出力電圧。I/O の内部ダイオード保護セルを流れるクランプ電流を制限します。 | -20 | 20 | mA |
TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -40 | 125 | ℃ |
TSTG | プリント基板に半田付けした後の保存温度範囲 | -55 | 150 | ℃ |