JAJSF23B March   2018  – July 2018 INA1620

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      INA1620の簡略化された内部回路図
      2.      FFT: 1kHz、32Ω負荷、50mW
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics:
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Matched Thin-Film Resistor Pairs
      2. 7.3.2 Power Dissipation
      3. 7.3.3 Thermal Shutdown
      4. 7.3.4 EN Pin
      5. 7.3.5 GND Pin
      6. 7.3.6 Input Protection
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Shutdown Mode
      2. 7.4.2 Output Transients During Power Up and Power Down
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 Noise Performance
      2. 8.1.2 Resistor Tolerance
      3. 8.1.3 EMI Rejection
      4. 8.1.4 EMIRR +IN Test Configuration
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Other Application Examples
      1. 8.3.1 Preamplifier for Professional Microphones
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 開発サポート
        1. 11.1.1.1 TINA-TI(無料のダウンロード・ソフトウェア)
        2. 11.1.1.2 TI Precision Designs
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 コミュニティ・リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

11.6 静電気放電に関する注意事項

esds-image

これらのデバイスは、限定的なESD（静電破壊）保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。