JAJSG06E April   2016  – October 2018 LMG3410R070 , LMG3411R070

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      ブロック概略図
      2.      100V/nsを超えるスイッチング性能
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要（続き）
  6. 6 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Switching Characteristics
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. 8 Parameter Measurement Information
    1. 8.1 Switching Parameters
      1. 8.1.1 Turn-on Delays
      2. 8.1.2 Turn-off Delays
      3. 8.1.3 Drain Slew Rate
      4. 8.1.4 Turn-on and Turn-off Energy
  9. 9 Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Direct-Drive GaN Architecture
      2. 9.3.2 Internal Buck-Boost DC-DC Converter
      3. 9.3.3 Internal Auxiliary LDO
      4. 9.3.4 Fault Detection
        1. 9.3.4.1 Over-current Protection
        2. 9.3.4.2 Over-Temperature Protection and UVLO
      5. 9.3.5 Drive Strength Adjustment
    4. 9.4 Device Functional Modes
      1. 9.4.1 Low-Power Mode
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Application
      1. 10.2.1 Design Requirements
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1 Slew Rate Selection
          1. 10.2.2.1.1 Startup and Slew Rate with Bootstrap High-Side Supply
        2. 10.2.2.2 Signal Level-Shifting
        3. 10.2.2.3 Buck-Boost Converter Design
      3. 10.2.3 Application Curves
    3. 10.3 Paralleling GaN Devices
    4. 10.4 Do's and Don'ts
  11. 11Power Supply Recommendations
    1. 11.1 Using an Isolated Power Supply
    2. 11.2 Using a Bootstrap Diode
      1. 11.2.1 Diode Selection
      2. 11.2.2 Managing the Bootstrap Voltage
      3. 11.2.3 Reliable Bootstrap Start-up
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
      1. 12.1.1 Power Loop Inductance
      2. 12.1.2 Signal Ground Connection
      3. 12.1.3 Bypass Capacitors
      4. 12.1.4 Switch-Node Capacitance
      5. 12.1.5 Signal Integrity
      6. 12.1.6 High-Voltage Spacing
      7. 12.1.7 Thermal Recommendations
    2. 12.2 Layout Example
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 デバイス・サポート
      1. 13.1.1 デベロッパー・ネットワークの製品に関する免責事項
    2. 13.2 ドキュメントのサポート
      1. 13.2.1 関連資料
    3. 13.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 13.4 コミュニティ・リソース
    5. 13.5 商標
    6. 13.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 13.7 Glossary
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

1 特長

  • TIのGaNプロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
  • 高密度の電力変換設計が可能
    • カスコードまたはスタンドアロンのGaN FETで優れたシステム性能を実現
    • 低インダクタンスの8mm×8mm QFNパッケージにより設計とレイアウトが容易
    • スイッチング性能とEMIを制御するため駆動強度を変更可能
    • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
    • +12Vの非レギュレート電源のみで動作可能
  • ゲート・ドライバを内蔵
    • 共通ソース・インダクタンスが0
    • MHz動作を可能にする20nsの伝播遅延
    • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
    • スルー・レートを25～100V/nsの範囲でユーザー設定可能
  • 堅牢な保護
    • 外付けの保護部品が不要
    • 応答時間100ns未満の過電流保護
    • 150V/nsを超えるスルー・レート耐性
    • 過渡過電圧耐性
    • 過熱保護
    • すべての電源レールのUVLO保護
  • デバイスのオプション
    • LMG3410R070：ラッチ付き過電流保護
    • LMG3411R070：サイクル単位の過電流保護