JAJSGJ2C October   2018  – November 2021 UCC21530

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  絶縁仕様
    7. 6.7  安全関連認証
    8. 6.8  安全限界値
    9. 6.9  電気的特性
    10. 6.10 スイッチング特性
    11. 6.11 絶縁特性曲線
    12. 6.12 代表的特性
  7. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 伝搬遅延とパルス幅歪み
    2. 7.2 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    3. 7.3 入力とイネーブルの応答時間
    4. 7.4 プログラム可能なデッド・タイム
    5. 7.5 電源オン時の出力の UVLO 遅延
    6. 7.6 CMTI テスト
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 8.3.2 入力および出力論理表
      3. 8.3.3 入力段
      4. 8.3.4 出力段
      5. 8.3.5 UCC21530 のダイオード構造
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 イネーブル・ピン
      2. 8.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 8.4.2.1 VCC に接続された DT ピン
        2. 8.4.2.2 DT ピンと GND ピンとの間の設定抵抗に接続される DT ピン
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
        2. 9.2.2.2 デッド・タイム抵抗およびコンデンサの選択
        3. 9.2.2.3 ゲート・ドライバの出力抵抗
        4. 9.2.2.4 ゲート・ドライバの電力損失の推定
        5. 9.2.2.5 接合部温度の推定
        6. 9.2.2.6 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
          1. 9.2.2.6.1 VCCI コンデンサの選択
        7. 9.2.2.7 他のアプリケーション回路の例
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
      1. 11.1.1 部品の配置に関する注意事項
      2. 11.1.2 接地に関する注意事項
      3. 11.1.3 高電圧に関する注意事項
      4. 11.1.4 熱に関する注意事項
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
      1.      メカニカル、パッケージ、および注文情報

9.2.2.5 接合部温度の推定

UCC21530 の接合部温度は以下の式で推定できます。

Equation13. GUID-27F1B091-9AF8-4B01-8C43-7E3ABA9313E8-low.gif

ここで

  • TJ は接合部温度です。
  • TC は、熱電対またはその他の手段で測定された UCC21530 のケース上面温度です。
  • ψJT は、Topic Link Label6.4 の表に記載されている、接合部から上面への熱特性パラメータです。

接合部からケースへの熱抵抗 (RΘJC) の代わりに接合部から上面への熱特性パラメータ (ΨJT) を使用することで、接合部温度の推定の精度を大幅に向上させることができます。ほとんどの IC の熱エネルギーの大半は、パッケージのリードを経由して PCB に放散されるのに対して、全エネルギーのごく一部のみがケース上面から放散されます (通常は熱電対で測定されます)。RΘJC は、熱エネルギーの大部分がケースを通して放散される場合 (例：金属パッケージが使われている場合、IC パッケージにヒートシンクが取り付けられている場合) にのみ有効に使用できます。それ以外の場合に RΘJC を使っても、真の接合部温度を正確に推定することはできません。ΨJT は、IC の上面を通して放散されるエネルギー量が、テスト環境とアプリケーション環境で同等であると仮定することで実験的に求められます。推奨レイアウト・ガイドラインが守られている限り、接合部温度は数℃以内の精度で推定できます。詳細については、Topic Link Label11.1 と『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。