JAJSGJ4D August   2018  – April 2021 UCC21530-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成と機能
    1.     ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  絶縁仕様
    7. 6.7  安全関連認証
    8. 6.8  安全限界値
    9. 6.9  電気的特性
    10. 6.10 スイッチング特性
    11. 6.11 絶縁特性曲線
    12. 6.12 代表的特性
  7. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 伝搬遅延とパルス幅歪み
    2. 7.2 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    3. 7.3 入力とイネーブルの応答時間
    4. 7.4 プログラム可能なデッド・タイム
    5. 7.5 電源オン時の出力の UVLO 遅延
    6. 7.6 CMTI テスト
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 8.3.2 入力および出力論理表
      3. 8.3.3 入力段
      4. 8.3.4 出力段
      5. 8.3.5 UCC21530-Q1 のダイオード構造
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 イネーブル・ピン
      2. 8.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 8.4.2.1 VCC に接続された DT ピン
        2. 8.4.2.2 DT ピンと GND ピンとの間の設定抵抗に接続される DT ピン
          1.        アプリケーションと実装
            1. 9.1 アプリケーション情報
            2. 9.2 代表的なアプリケーション
              1. 9.2.1 設計要件
              2. 9.2.2 詳細な設計手順
                1. 9.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
                2. 9.2.2.2 デッド・タイム抵抗およびコンデンサの選択
                3. 9.2.2.3 ゲート・ドライバの出力抵抗
                4. 9.2.2.4 ゲート・ドライバの電力損失の推定
                5. 9.2.2.5 接合部温度の推定
                6. 9.2.2.6 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
                  1. 9.2.2.6.1 VCCI コンデンサの選択
                7. 9.2.2.7 他のアプリケーション回路の例
              3. 9.2.3 アプリケーション曲線
                1.           電源に関する推奨事項
  9. 9 レイアウト
    1. 9.1 レイアウトのガイドライン
      1. 9.1.1 部品の配置に関する注意事項
      2. 9.1.2 接地に関する注意事項
      3. 9.1.3 高電圧に関する注意事項
      4. 9.1.4 熱に関する注意事項
    2. 9.2 レイアウト例
  10. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 コミュニティ・リソース
    4. 10.4 商標
      1.      メカニカル、パッケージ、および注文情報

8.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)

UCC21530-Q1 は、両方の出力の VDD ピンと VSS ピンの間の電源回路ブロックに、低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護機能が内蔵されています。VDD バイアス電圧がデバイスの起動時に VVDD_ON より低い場合、または起動後に VVDD_OFF を下回った場合、入力ピン (INA および INB) の状態に関係なく、VDD UVLO 機能はチャネル出力を Low に保持します。

ドライバの出力段にバイアスが印加されていない場合、または UVLO 状態である場合、ドライバ出力の電圧上昇を制限するアクティブ・クランプ回路によってドライバ出力は Low に保持されます (図 8-1 を参照)。この条件では、下側の NMOS のゲートが RCLAMP でドライバ出力に接続される一方で、上側の PMOS はオフに保持されその抵抗は RHi-Z となります。この構成では、出力は下側の NMOS デバイスのスレッショルド電圧 (バイアス電力が存在しない場合は一般に 1.5V 未満) に実質的にクランプされます。

GUID-0F176833-009C-4BA2-9E90-75BA88FD09B6-low.gif図 8-1 アクティブ・プルダウン機能の概略図

VDD UVLO 保護機能はヒステリシス (VVDD_HYS) を備えています。このヒステリシスは、電源のグランド・ノイズが発生したときのチャタリングを防止します。このヒステリシスにより、本デバイスはバイアス電圧の小さな電圧降下を許容することもできます。このような電圧降下は、デバイスがスイッチングを開始し動作消費電流が急増した際によく発生します。

UCC21530-Q1 の入力側は低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護機能も内蔵しています。デバイスは、起動時に電圧 VCCI が VVCCI_ON を超えるまでアクティブになりません。この信号は、ピンが VVCCI_OFF より低い電圧を受け取ると送信されなくなります。VDD UVLO と同様に、安定した動作を確保するためのヒステリシス (VVCCI_HYS) があります。

UCC21530-Q1 は VDD の絶対最大値 30V、VCCI の 20V に耐えられます。

表 8-1 UCC21530-Q1 VCCI UVLO 機能ロジック
条件入力出力
INAINBOUTAOUTB
デバイス起動中 VCCI-GND < VVCCI_ONHLLL
デバイス起動中 VCCI-GND < VVCCI_ONLHLL
デバイス起動中 VCCI-GND < VVCCI_ONHHLL
デバイス起動中 VCCI-GND < VVCCI_ONLLLL
デバイス起動後 VCCI-GND < VVCCI_OFFHLLL
デバイス起動後 VCCI-GND < VVCCI_OFFLHLL
デバイス起動後 VCCI-GND < VVCCI_OFFHHLL
デバイス起動後 VCCI-GND < VVCCI_OFFLLLL
表 8-2 UCC21530-Q1 VDD UVLO 機能ロジック
条件入力：INx出力：OUTx
デバイス起動中 VDDx-VSSx < VVDD_ONLL
デバイス起動中 VDDx-VSSx < VVDD_ONHL
デバイス起動後 VDDx-VSSx < VVDD_OFFLL
デバイス起動後 VDDx-VSSx < VVDD_OFFHL