JAJSGN5F
December 2018 – November 2023
TMP61
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
デバイスの比較
5
ピン構成および機能
6
仕様
6.1
絶対最大定格
6.2
ESD 定格
6.3
推奨動作条件
6.4
熱に関する情報
6.5
電気的特性
6.6
代表的特性
7
詳細説明
7.1
概要
7.2
機能ブロック図
7.3
機能説明
7.3.1
TMP61 の R-T 表
7.3.2
線形抵抗曲線
7.3.3
正温度係数 (PTC)
7.3.4
内蔵フェイルセーフ
7.4
デバイスの機能モード
8
アプリケーションと実装
8.1
アプリケーション情報
8.2
代表的なアプリケーション
8.2.1
サーミスタ・バイアス回路
8.2.1.1
設計要件
8.2.1.2
詳細な設計手順
8.2.1.2.1
コンパレータを使用した過熱保護
8.2.1.2.2
サーマル・フォールドバック
8.2.1.3
アプリケーション曲線
8.3
電源に関する推奨事項
8.4
レイアウト
8.4.1
レイアウトのガイドライン
8.4.2
レイアウト例
9
デバイスおよびドキュメントのサポート
9.1
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
9.2
サポート・リソース
9.3
商標
9.4
用語集
9.5
静電気放電に関する注意事項
10
改訂履歴
11
メカニカル、パッケージ、および注文情報
6.6
代表的特性
T
A
= 25°C (特に記述のない限り)
図 6-1
抵抗値と周囲温度の関係 (各種バイアス電流)
図 6-3
TCR と検出電流 (I
SNS
) の関係
図 6-5
電源依存抵抗値とバイアス電流との関係
V
SNS
= 1V
図 6-7
ステップ応答
周囲条件:静止空気中
図 6-9
熱応答時間 (DEC および DYA パッケージ)
周囲物質:かくはん液中
図 6-11
熱応答時間 (LPG パッケージ)
R
BIAS
= 10kΩ (許容誤差 ±0.01%)
図 6-2
抵抗値と周囲温度の関係 (各種バイアス電圧)
V
Sns
= 1.8V、2.5V、3.3V、5.0V、R
Bias
= 10kΩ (許容誤差 ±0.01%)
図 6-4
TCR と検出電圧 V
Sns
の関係
R
Bias
= 10kΩ (許容誤差 ±0.01%)
図 6-6
電源依存とバイアス電圧との関係
周囲物質:かくはん液中
図 6-8
熱応答時間 (DEC パッケージ)
周囲条件:静止空気中
図 6-10
熱応答時間 (LPG パッケージ)