JAJSGN5F December   2018  – November 2023 TMP61

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 TMP61 の R-T 表
      2. 7.3.2 線形抵抗曲線
      3. 7.3.3 正温度係数 (PTC)
      4. 7.3.4 内蔵フェイルセーフ
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 サーミスタ・バイアス回路
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 8.2.1.2.1 コンパレータを使用した過熱保護
          2. 8.2.1.2.2 サーマル・フォールドバック
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 商標
    4. 9.4 用語集
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

8.4.1 レイアウトのガイドライン

TMP61 のレイアウトは、受動部品のレイアウトと同様です。電流源を使用してデバイスをバイアスする場合は、正のピン 2 を電流源に接続し、負のピン 1 をグランドに接続します。電圧源で回路をバイアスし、抵抗分圧器の下側にデバイスを配置する場合、V– をグランドに接続し、V+ を出力 (VTEMP) に接続します。分圧器の上側にデバイスを配置する場合、V+ を電圧源に接続し、V– を出力電圧 (VTEMP) に接続します。