UCC21750-Q1 アクティブ保護および絶縁アナログ・センシング機能搭載、高 CMTI、10A ソース / シンク、強化絶縁型シングル・チャネル SiC/IGBT ゲート・ドライバ
このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。
1 特長
- 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
- 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
- デバイス温度グレード 1：-40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
- デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
- デバイス CDM ESD 分類レベル C3
- 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
- 最大出力駆動電圧：33V (VDD - VEE)
- ±10A の駆動強度と分割出力
- CMTI：150V/ns 以上
- 高速 DESAT 保護、200ns の応答時間
- 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
- フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
- PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
- NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
- 高電圧 DC リンクまたは相電圧
- 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
- RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
- 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
- 12V VDD UVLO (RDY によるパワー・グッド通知付き)
- 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
- 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス / 部品スキュー：30ns 以下
- 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
- 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
- 安全関連認証：
- DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
- UL 1577 部品認定プログラム
2 アプリケーション
- EV 用トラクション・インバータ
- オンボード・チャージャおよび充電ステーション
- HEV/EV 用 DC/DC コンバータ
3 概要
UCC21750-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。UCC21750-Q1 は最大 ±10A のピーク・ソース / シ ンク電流を供給できます。
入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。
UCC21750-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。
| 部品番号 | パッケージ(1) | 本体サイズ (公称) |
|---|---|---|
| UCC21750-Q1 | DW SOIC-16 | 10.3mm × 7.5mm |
