JAJSJF5C April   2021  – November 2024 DP83TC812R-Q1 , DP83TC812S-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Device Comparison Table
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Timing Requirements
    7. 6.7 Timing Diagrams
    8. 6.8 Typical Characteristics
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Diagnostic Tool Kit
        1. 7.3.1.1 Signal Quality Indicator
        2. 7.3.1.2 Electrostatic Discharge Sensing
        3. 7.3.1.3 Time Domain Reflectometry
        4. 7.3.1.4 Voltage Sensing
        5. 7.3.1.5 BIST and Loopback Modes
          1. 7.3.1.5.1 Data Generator and Checker
          2. 7.3.1.5.2 xMII Loopback
          3. 7.3.1.5.3 PCS Loopback
          4. 7.3.1.5.4 Digital Loopback
          5. 7.3.1.5.5 Analog Loopback
          6. 7.3.1.5.6 Reverse Loopback
      2. 7.3.2 Compliance Test Modes
        1. 7.3.2.1 Test Mode 1
        2. 7.3.2.2 Test Mode 2
        3. 7.3.2.3 Test Mode 4
        4. 7.3.2.4 Test Mode 5
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1  Power Down
      2. 7.4.2  Reset
      3. 7.4.3  Standby
      4. 7.4.4  Normal
      5. 7.4.5  Sleep Ack
      6. 7.4.6  Sleep Request
      7. 7.4.7  Sleep Fail
      8. 7.4.8  Sleep
      9. 7.4.9  Wake-Up
      10. 7.4.10 TC10 System Example
      11. 7.4.11 Media Dependent Interface
        1. 7.4.11.1 100BASE-T1 Master and 100BASE-T1 Slave Configuration
        2. 7.4.11.2 Auto-Polarity Detection and Correction
        3. 7.4.11.3 Jabber Detection
        4. 7.4.11.4 Interleave Detection
      12. 7.4.12 MAC Interfaces
        1. 7.4.12.1 Media Independent Interface
        2. 7.4.12.2 Reduced Media Independent Interface
        3. 7.4.12.3 Reduced Gigabit Media Independent Interface
        4. 7.4.12.4 Serial Gigabit Media Independent Interface
      13. 7.4.13 Serial Management Interface
        1. 7.4.13.1 Direct Register Access
        2. 7.4.13.2 Extended Register Space Access
        3. 7.4.13.3 Write Operation (No Post Increment)
        4. 7.4.13.4 Read Operation (No Post Increment)
        5. 7.4.13.5 Write Operation (Post Increment)
        6. 7.4.13.6 Read Operation (Post Increment)
    5. 7.5 Programming
      1. 7.5.1 Strap Configuration
      2. 7.5.2 LED Configuration
      3. 7.5.3 PHY Address Configuration
    6. 7.6 Register Maps
      1. 7.6.1 Register Access Summary
      2. 7.6.2 DP83TC812 Registers
  9. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 アプリケーション情報に関する免責事項
    2. 8.2 Application Information
    3. 8.3 Typical Applications
      1. 8.3.1 Design Requirements
        1. 8.3.1.1 Physical Medium Attachment
          1. 8.3.1.1.1 Common-Mode Choke Recommendations
      2. 8.3.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.3.3 Application Curves
    4. 8.4 Power Supply Recommendations
    5. 8.5 Layout
      1. 8.5.1 Layout Guidelines
        1. 8.5.1.1 Signal Traces
        2. 8.5.1.2 Return Path
        3. 8.5.1.3 Metal Pour
        4. 8.5.1.4 PCB Layer Stacking
      2. 8.5.2 Layout Example
  10. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 Community Resources
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

9.5 静電気放電に関する注意事項

DP83TC812S-Q1 DP83TC812R-Q1 この IC は、ESD によって破損する可能性があります。テキサス・インスツルメンツは、IC を取り扱う際には常に適切な注意を払うことを推奨します。正しい取り扱いおよび設置手順に従わない場合、デバイスを破損するおそれがあります。
ESD による破損は、わずかな性能低下からデバイスの完全な故障まで多岐にわたります。精密な IC の場合、パラメータがわずかに変化するだけで公表されている仕様から外れる可能性があるため、破損が発生しやすくなっています。