JAJSMX1B September   2021  – March 2022 LM74720-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Dual Gate Control (GATE, PD)
        1. 8.3.1.1 Reverse Battery Protection (A, C, GATE)
        2. 8.3.1.2 Load Disconnect Switch Control (PD)
      2. 8.3.2 Overvoltage Protection and Battery Voltage Sensing (VSNS, SW, OV)
      3. 8.3.3 Boost Regulator
    4. 8.4 Device Functional Mode (Shutdown Mode)
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical 12-V Reverse Battery Protection Application
      1. 9.2.1 Design Requirements for 12-V Battery Protection
      2. 9.2.2 Automotive Reverse Battery Protection
        1. 9.2.2.1 Input Transient Protection: ISO 7637-2 Pulse 1
        2. 9.2.2.2 AC Super Imposed Input Rectification: ISO 16750-2 and LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 Input Micro-Short Protection: LV124 E-10
      3. 9.2.3 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.3.1 Design Considerations
        2. 9.2.3.2 Boost Converter Components (C2, C3, L1)
        3. 9.2.3.3 Input and Output Capacitance
        4. 9.2.3.4 Hold-Up Capacitance
        5. 9.2.3.5 Overvoltage Protection and Battery Monitor
        6. 9.2.3.6 MOSFET Selection: Blocking MOSFET Q1
        7. 9.2.3.7 MOSFET Selection: Load Disconnect MOSFET Q2
        8. 9.2.3.8 TVS Selection
      4. 9.2.4 Application Curves
    3. 9.3 Do's and Don'ts
  10. 10Power Supply Recommendations
    1. 10.1 Transient Protection
    2. 10.2 TVS Selection for 12-V Battery Systems
    3. 10.3 TVS Selection for 24-V Battery Systems
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 Third-Party Products Disclaimer
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 Trademarks
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information

3 概要

LM74720-Q1 理想ダイオード・コントローラは外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動および制御して、電力パスの ON/OFF 制御と過電圧保護を備えた理想ダイオード整流器をエミュレートします。入力電源電圧範囲が 3V～65V と広いため、12V および 24V 車載用バッテリ駆動 ECU を保護および制御できます。このデバイスは最低 –65V の負の電源電圧に耐え、この電圧から負荷を保護できます。内蔵の理想ダイオード・コントローラ (GATE) は第 1 の MOSFET を駆動し、逆入力保護および出力電圧保持用のショットキー・ダイオードを置き換えることができます。高速ターンオン / オフ・コンパレータを搭載した強力な昇圧レギュレータは、たとえば、ECU が入力の瞬断にさらされたり、入力信号に最大 100kHz の周波数で AC が重畳されたりする、ISO16750 または LV124 などの車載テスト時に、堅牢で効率的な MOSFET スイッチング性能を確実に発揮します。動作中の静止電流が 35µA (最大値) と低いので、常時オンのシステム設計が可能になります。電力パスに第 2 の MOSFET を使えば、EN ピンを使用した負荷切断制御が可能になります。EN が LOW のとき、静止電流は 3.3μA (最大値) まで減少します。このデバイスには、負荷ダンプ保護のための可変の過電圧カットオフ保護機能があります。

製品情報
部品番号パッケージ(1)本体サイズ (公称)
LM74720-Q1WSON (12)3.0mm × 3.0mm
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
GUID-20210831-SS0I-4VKW-ZRZZ-VQCCRHFCQNMH-low.gif低 IQ の理想ダイオード
GUID-20210831-SS0I-14HM-MGXC-MXJNPXVN3CK0-low.gifスイッチ出力を備えた低 IQ の理想ダイオード