JAJSOS8E
September 2013 – July 2024
SN74LV1T00
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
関連製品
5
ピン構成および機能
6
仕様
6.1
絶対最大定格
6.2
ESD 定格
6.3
推奨動作条件
6.4
熱に関する情報
6.5
電気的特性
6.6
スイッチング特性
6.7
動作特性
6.8
代表的特性
7
パラメータ測定情報
8
詳細説明
8.1
概要
8.2
機能ブロック図
8.3
機能説明
8.3.1
クランプ ダイオード構造
8.3.2
平衡化された CMOS プッシュプル出力
8.3.3
LVxT 拡張入力電圧
8.3.3.1
降圧変換
8.3.3.2
昇圧変換
8.4
デバイスの機能モード
9
アプリケーションと実装
9.1
電源に関する推奨事項
9.2
レイアウト
9.2.1
レイアウトのガイドライン
10
デバイスおよびドキュメントのサポート
10.1
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
10.2
サポート・リソース
10.3
商標
10.4
静電気放電に関する注意事項
10.5
用語集
11
改訂履歴
12
メカニカル、パッケージ、および注文情報
8.1
概要
SN74LV1T00
には 1 つの独立したデュアル入力 NAND ゲートが内蔵されており、拡張電圧動作によりレベル変換が可能です。各ゲートはブール関数 Y =
A ● B
を正論理で実行します。出力レベルは電源電圧 (V
CC
) を基準としており、1.8V、2.5V、3.3V、5V の CMOS レベルをサポートしています。