JAJSPT8F February   2023  – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスのオプション表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 品質適合検査
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1  バイアス電源
      2. 8.3.2  出力電圧構成
      3. 8.3.3  電圧源を使用した出力電圧構成
      4. 8.3.4  イネーブル
      5. 8.3.5  ソフト スタートとノイズ低減
      6. 8.3.6  構成可能なパワー グッド
      7. 8.3.7  電流制限
      8. 8.3.8  安定性
        1. 8.3.8.1 出力容量
        2. 8.3.8.2 補償
      9. 8.3.9  カレント シェア（電流共有）
      10. 8.3.10 PSRR
      11. 8.3.11 ノイズ
      12. 8.3.12 サーマル・シャットダウン
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 アプリケーション 1：EN によるターンオン・スレッショルドの設定
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.2.1 バイアス電源
          2. 9.2.1.2.2 出力電圧構成
          3. 9.2.1.2.3 出力電圧精度
          4. 9.2.1.2.4 イネーブル スレッショルド
          5. 9.2.1.2.5 ソフト スタートとノイズ低減
          6. 9.2.1.2.6 構成可能なパワー グッド
          7. 9.2.1.2.7 電流制限
          8. 9.2.1.2.8 出力コンデンサとフェライト ビーズ
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 アプリケーション 2：並列動作
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.2.2.1 カレント シェア（電流共有）
        3. 9.2.2.3 アプリケーション結果
    3. 9.3 テストしたコンデンサ
    4. 9.4 TID の影響
    5. 9.5 電源に関する推奨事項
    6. 9.6 レイアウト
      1. 9.6.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.6.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
      2. 10.1.2 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報
9.2.1.2.6 構成可能なパワー グッド

この設計では、VOUT が最終値 (1.62V) の 90% に達したときにパワー グッド ピンをアサートするのが適切です。

式 7 を使用し、RFBPG_BOT の値として 10kΩ を選択すると、RFBPG_TOP 抵抗は式 18 に示すように計算されます。

式 18. RFBPG_TOP = RFBPG_BOT × (VOUT(assert_threshold) – VFB_PG(rising)) ] / VFBPG(rising) =
[10kΩ × (1.62V – 0.306V)] / 0.306V = 42.9kΩ

RFBPG_TOP には標準値 44.2kΩ の抵抗が選択されています。次に、ワーストケース (最高) の VIN(assert_threshold) スレッショルドを計算して、VOUT が目標値に達する前に PG がアサートされる (および高速充電電流がオフになる) ようにします。これは、式 7 と最大 VFB_PG(rising) スレッショルド 313mV を使用して決定されます。VOUT(assert_threshold), max 値は 1.70V と決定されます。これは最終的な VOUT 値の 94% で、十分なマージンとなります。

最後に、PG がデアサートされるタイミングを知るため、VOUT(deassert_threshold) の標準値を計算します。これは、式 8 と VFB_PG(hysteresis) 値 14mV を使用して決定されます。VOUT(deassert_threshold) の値は 1.58V と決定されます。これは、VOUT が公称値の 88% まで低下した場合、PG ピンがデアサートされることを意味します。