JAJSPT8 データシート

JAJSPT8F February 2023 – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP

PRODUCTION DATA

6.7 代表的特性

V_IN = 2.5V、V_OUT = 1.8V、V_BIAS = 5V、I_OUT = 1A、C_OUT = 2 × 100µF、C_SS = 4.7µF、R_REF = 12.0kΩ、R_BIAS = 10Ω、C_BIAS = 4.7µF、T_A = 25℃、特に記述のない限り、積分ノイズは 10Hz～100kHz の帯域幅で報告。

V_BIAS = 5V

図 6-1 PSRR と周波数との関係 (一般的な構成)

V_IN = V_OUT + V_DO	V_OUT = 1.8V	V_BIAS = V_OUT + 1.6V

図 6-3 さまざまなドロップアウト電圧における PSRR と周波数との関係

V_IN = V_OUT + 0.8 V		V_BIAS = V_IN + 1.6V

図 6-5 さまざまな出力電圧における PSRR と周波数との関係

使用されたコンデンサの型番については表 9-4 を参照。

図 6-7 さまざまな出力容量における PSRR と周波数との関係

図 6-9 さまざまなバイアス電源における PSRR と周波数との関係

R_BIAS = 0Ω		C_BIAS = 0µF

図 6-11 V_IN = V_BIAS における PSRR と周波数との関係

R_BIAS = 10Ω

図 6-13 さまざまなバイアス電圧における PSRR_BIAS と周波数との関係 (RC あり)

図 6-15 さまざまな C_SS における出力ノイズと周波数との関係 (ノイズスペクトル密度)

使用されたコンデンサの型番については表 9-4 を参照。

図 6-17 さまざまな出力コンデンサにおける出力ノイズと周波数との関係 (ノイズスペクトル密度)

V_OUT = V_IN – 0.8V

図 6-19 さまざまな入力電圧における出力ノイズと周波数との関係 (ノイズスペクトル密度)

V_BIAS = 12V

図 6-2 PSRR と周波数との関係 (一般的な構成)

図 6-4 さまざまな出力電流における PSRR と周波数との関係

V_OUT = V_IN – 0.8V		V_BIAS = V_OUT + 1.6V

図 6-6 さまざまな入力電圧における PSRR と周波数との関係

図 6-8 さまざまなソフトスタート容量における PSRR と周波数との関係

I_OUT = 500mA

図 6-10 動作温度範囲における PSRR と周波数の関係

R_BIAS = 0Ω

図 6-12 さまざまなバイアス電圧における PSRR_BIAS と周波数との関係 (RC なし)

I_OUT = 500mA

図 6-14 動作温度範囲における PSRR_BIAS と周波数の関係

図 6-16 さまざまな出力電流における出力ノイズと周波数との関係 (ノイズスペクトル密度)

V_IN = V_OUT + 0.8 V

図 6-18 さまざまな出力電圧における出力ノイズと周波数との関係 (ノイズスペクトル密度)

C_OUT = 2 × 100μF。使用されたコンデンサと、セラミックおよびプラスチックのパッケージの違いについては、表 9-4 を参照してください。
I_OUT = 0A：位相マージン = 83°、ゲインマージン = 29dB
I_OUT = 1.5A：位相マージン = 99°、ゲインマージン = 19dB

図 6-20 ゲインおよび位相と周波数との関係 (ボード線図)

C_OUT = 2 × 100μF + 0.1μF。使用されたコンデンサと、セラミックおよびプラスチックのパッケージの違いについては、表 9-4 を参照してください。
I_OUT = 0A：位相マージン = 61°、ゲインマージン = 27dB
I_OUT = 1.5A：位相マージン = 99°、ゲインマージン = 12dB

図 6-22 ゲインおよび位相と周波数との関係 (ボード線図)

C_OUT = 1 × 220μF。使用されたコンデンサと、セラミックおよびプラスチックのパッケージの違いについては、表 9-4 を参照してください。
I_OUT = 0A：位相マージン = 71°、ゲインマージン = 30dB
I_OUT = 1.5A：位相マージン = 91°、ゲインマージン = 14dB

図 6-24 ゲインおよび位相と周波数との関係 (ボード線図)

C_OUT = 1 × 220μF + 0.1μF。使用されたコンデンサと、セラミックおよびプラスチックのパッケージの違いについては、表 9-4 を参照してください。
I_OUT = 0A：位相マージン = 72°、ゲインマージン = 19dB
I_OUT = 1.5A：位相マージン = 66°、ゲインマージン = 8dB

図 6-26 ゲインおよび位相と周波数との関係 (ボード線図)

図 6-28 ドロップアウト電圧 vs 温度

図 6-30 ドロップアウト電圧と温度との関係 (個別の V_BIAS なし)

I_OUT = 0A

図 6-32 静止電流と温度との関係

I_OUT = 1.5A

図 6-34 グランド電流 vs 温度

V_EN = 0V

図 6-36 シャットダウン電流と温度との関係

図 6-38 SET ピンの電流と温度との関係

図 6-40 オフセット電圧と電流との関係

V_EN = 7 V	V_IN = 7 V	V_BIAS = 14V

図 6-42 リーク電流と温度との関係

V_IN = 0.85 V	V_BIAS = 2.2V	I_OUT = 1mA
I_PG = 2mA

図 6-44 PG ピン出力 Low と温度との関係

I_OUT = 0mA

図 6-46 スタートアップ時の SS_SET ピン電流と温度との関係

0.85V ≤ V_IN ≤ 7V、2.2V ≤ V_BIAS ≤ 14V、I_OUT = 1mA

図 6-48 出力オフセット電圧の分布 (T_A = 25℃)

0.85V ≤ V_IN ≤ 7V、2.2V ≤ V_BIAS ≤ 14V、I_OUT = 1mA

図 6-50 I_SET 電流分布 (T_A = –55℃)

0.85V ≤ V_IN ≤ 7V、2.2V ≤ V_BIAS ≤ 14V、I_OUT = 1mA

図 6-52 I_SET 電流分布 (T_A = 125℃)

0.85V ≤ V_IN ≤ 7V、1mA ≤ I_OUT ≤ 1.5A、2.2V ≤ V_BIAS ≤ 14V、P_D ≤ 4W

図 6-54 出力電圧の精度分布 (T_A = 25℃)

スルーレート = 10.1A/μs

図 6-56 負荷ステップ：1 mA ～ 1.5A

スルーレート = 0.9A/μs

図 6-58 負荷ステップ：1 mA ～ 1.5A

スルーレート = 8.5A/μs	I_OUT はステップ電流のみ、並列 0.5A 負荷は非表示

図 6-60 負荷ステップ：0.5 A～1.5 A

スルーレート = 20.2V/ms		V_OUT = 0.4 V

図 6-62 ラインステップ：1.8V～5V、I_OUT = 1.5A

スルーレート= 84.0V/ms		V_OUT = 0.4 V

図 6-64 ラインステップ：1.8V～5V、I_OUT = 1mA

図 6-66 スタートアップ波形

C_OUT = 2 × 100μF。使用されたコンデンサと、セラミックおよびプラスチックのパッケージの違いについては、表 9-4 を参照してください。
位相マージン = 98°、ゲインマージン = 19dB

図 6-21 ゲインおよび位相と周波数との関係 (ボード線図)

C_OUT = 2 × 100μF + 0.1μF。使用されたコンデンサと、セラミックおよびプラスチックのパッケージの違いについては、表 9-4 を参照してください。
位相マージン = 98°、ゲインマージン = 13dB

図 6-23 ゲインおよび位相と周波数との関係 (ボード線図)

C_OUT = 1 × 220μF。使用されたコンデンサと、セラミックおよびプラスチックのパッケージの違いについては、表 9-4 を参照してください。
位相マージン = 98°、ゲインマージン = 14dB

図 6-25 ゲインおよび位相と周波数との関係 (ボード線図)

C_OUT = 1 × 220μF + 0.1μF。使用されたコンデンサと、セラミックおよびプラスチックのパッケージの違いについては、表 9-4 を参照してください。
位相マージン = 94°、ゲインマージン = 9dB

図 6-27 ゲインおよび位相と周波数との関係 (ボード線図)

V_IN = 5V		V_BIAS = V_IN + 1.6V

図 6-29 ドロップアウト電圧と電流との関係

図 6-31 ドロップアウト電圧と電流との関係 (個別の V_BIAS なし)

I_OUT = 0A

図 6-33 バイアス電流と温度との関係

I_OUT = 1.5A

図 6-35 バイアス電流と温度との関係

V_EN = 0V

図 6-37 バイアスシャットダウン電流と温度との関係

I_OUT = 1mA

図 6-39 オフセット電圧と温度との関係

図 6-41 出力電圧と温度との関係

V_{FB_PG} = 6V	V_IN = 7 V	V_BIAS = 14V
I_OUT = 1mA

図 6-43 FB_PG ピンのリーク電流と温度との関係

V_IN = 7 V	V_BIAS = 14V	I_OUT = 1mA
V_PG = 7 V

図 6-45 PG ピンのリーク電流と温度との関係

0.85V ≤ V_IN ≤ 7V、2.2V ≤ V_BIAS ≤ 14V、I_OUT = 1mA

図 6-47 出力オフセット電圧の分布 (T_A = –55℃)

0.85V ≤ V_IN ≤ 7V、2.2V ≤ V_BIAS ≤ 14V、I_OUT = 1mA

図 6-49 出力オフセット電圧の分布 (T_A = 125℃)

0.85V ≤ V_IN ≤ 7V、2.2V ≤ V_BIAS ≤ 14V、I_OUT = 1mA

図 6-51 I_SET 電流分布 (T_A = 25℃)

0.85V ≤ V_IN ≤ 7V、1mA ≤ I_OUT ≤ 1.5A、2.2V ≤ V_BIAS ≤ 14V、P_D ≤ 4W

図 6-53 出力電圧の精度分布 (T_A = –55℃)

0.85V ≤ V_IN ≤ 7V、1mA ≤ I_OUT ≤ 1.5A、2.2V ≤ V_BIAS ≤ 14V、P_D ≤ 4W

図 6-55 出力電圧の精度分布 (T_A = 125℃)

スルーレート = 13.1A/μs

図 6-57 負荷ステップ：1.5 A～1 mA

スルーレート = 1.0A/μs

図 6-59 負荷ステップ：1.5 A～1 mA

スルーレート = 8.1A/μs	I_OUT はステップ電流のみ、並列 0.5A 負荷は非表示

図 6-61 負荷ステップ：1.5 A～0.5 A

スルーレート= 144.8V/ms		V_OUT = 0.4 V

図 6-63 ラインステップ：5V～1.8V、I_OUT = 1.5A

スルーレート = 85.1V/ms		V_OUT = 0.4 V

図 6-65 ラインステップ：5V～1.8V、I_OUT = 1mA