12 改訂履歴
Changes from Revision * (January 2024) to Revision A (June 2024)
- 絶縁定格を 3kVrms に変更Go
- 新しいデバイス ピンを追加Go
- 代表的なアプリケーション回路図のディセーブル コンデンサの名前を変更Go
- DT コンデンサのサイズに関する推奨事項を追加Go
- 5V および 12V UVLO ピンの推奨動作電圧を追加Go
- CTI を >600V から >400V に変更Go
- 材料グループを I から II に変更Go
- テスト条件を EN = VCC から DIS = GND に変更Go
- 5V および 12V UVLO ピンの UVLO 値を追加Go
- DIS 応答遅延の標準値を 49ns から 48ns に変更Go
- tDM の仕様を -40℃~150℃ tDM=5ns (最大値) から 2 つの温度範囲に分離Go
- 最大 PWD を 5ns に変更Go
- デバイスの特性を反映するように安全制限の曲線を変更Go
- 基本絶縁に合わせて TDDB 曲線を変更Go
- 5V および 12V UVLO の代表的特性の図を追加Go
- DIS ピンを反映するように図のタイトルを変更Go
- 代表的なアプリケーション回路図のディセーブル コンデンサの名前を変更Go