JAJSSK9A January   2024  – June 2024 UCC21330

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. ピン構成および機能
  6. 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格
    3. 5.3  推奨動作条件
    4. 5.4  熱に関する情報
    5. 5.5  電力定格
    6. 5.6  絶縁仕様
    7. 5.7  安全限界値
    8. 5.8  電気的特性
    9. 5.9  スイッチング特性
    10. 5.10 絶縁特性曲線
    11. 5.11 代表的特性
  7. パラメータ測定情報
    1. 6.1 伝搬遅延とパルス幅歪み
    2. 6.2 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    3. 6.3 入力とディセーブルの応答時間
    4. 6.4 プログラム可能なデッド・タイム
    5. 6.5 電源オン時の UVLO 出力遅延
    6. 6.6 CMTI テスト
  8. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 7.3.2 入力および出力論理表
      3. 7.3.3 入力段
      4. 7.3.4 出力段
      5. 7.3.5 UCC21330 のダイオード構造
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 ディセーブル・ピン
      2. 7.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 7.4.2.1 DT ピンを VCC に接続
        2. 7.4.2.2 DT ピンと GND ピンとの間の設定抵抗に接続される DT ピン
  9. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
        2. 8.2.2.2 外部ブートストラップ・ダイオードとその直列抵抗の選択
        3. 8.2.2.3 ゲート・ドライバの出力抵抗
        4. 8.2.2.4 ゲート - ソース間抵抗の選択
        5. 8.2.2.5 ゲート ドライバの電力損失の推定
        6. 8.2.2.6 推定接合部温度
        7. 8.2.2.7 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
          1. 8.2.2.7.1 VCCI コンデンサの選択
          2. 8.2.2.7.2 VDDA (ブートストラップ) コンデンサの選択
          3. 8.2.2.7.3 VDDB コンデンサの選択
        8. 8.2.2.8 デッド タイム設定の指針
        9. 8.2.2.9 出力段の負バイアスを使う応用回路
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  10. 電源に関する推奨事項
  11. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイスのサポート
      1. 11.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 認定
    4. 11.4 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    5. 11.5 サポート・リソース
    6. 11.6 商標
    7. 11.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 11.8 用語集
  13. 12改訂履歴
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

改訂履歴

Changes from Revision * (January 2024) to Revision A (June 2024)

  • 絶縁定格を 3kVrms に変更Go
  • 新しいデバイス ピンを追加Go
  • 代表的なアプリケーション回路図のディセーブル コンデンサの名前を変更Go
  • DT コンデンサのサイズに関する推奨事項を追加Go
  • 5V および 12V UVLO ピンの推奨動作電圧を追加Go
  • CTI を >600V から >400V に変更Go
  • 材料グループを I から II に変更Go
  • テスト条件を EN = VCC から DIS = GND に変更Go
  • 5V および 12V UVLO ピンの UVLO 値を追加Go
  • DIS 応答遅延の標準値を 49ns から 48ns に変更Go
  • tDM の仕様を -40℃~150℃ tDM=5ns (最大値) から 2 つの温度範囲に分離Go
  • 最大 PWD を 5ns に変更Go
  • デバイスの特性を反映するように安全制限の曲線を変更Go
  • 基本絶縁に合わせて TDDB 曲線を変更Go
  • 5V および 12V UVLO の代表的特性の図を追加Go
  • DIS ピンを反映するように図のタイトルを変更Go
  • 代表的なアプリケーション回路図のディセーブル コンデンサの名前を変更Go