JAJSSU9B October   2023  – May 2024 MSPM0G3505-Q1 , MSPM0G3506-Q1 , MSPM0G3507-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 機能ブロック図
  6. 5 デバイスの比較
  7. 6 ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2. 6.2 ピン属性
    3. 6.3 信号の説明
    4. 6.4 未使用ピンの接続
  8. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電源電流特性
      1. 7.5.1 RUN / SLEEP モード
      2. 7.5.2 STOP / STANDBY モード
      3. 7.5.3 SHUTDOWN モード
    6. 7.6  電源シーケンス
      1. 7.6.1 電源ランプ
        1. 7.6.1.1 POR および BOR
    7. 7.7  フラッシュ メモリの特性
    8. 7.8  タイミング特性
    9. 7.9  クロック仕様
      1. 7.9.1 システム発振器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 SYSOSC の標準的な周波数精度
        1. 7.9.2.1 低周波数発振器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 システム フェーズ ロック ループ (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低周波数クリスタル / クロック
      5. 7.9.5 高周波数クリスタル / クロック
    10. 7.10 デジタル IO
      1. 7.10.1 電気的特性
      2. 7.10.2 スイッチング特性
    11. 7.11 アナログ マルチプレクサ VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 電気的特性
      2. 7.12.2 スイッチング特性
      3. 7.12.3 直線性パラメータ
    13. 7.13 代表的な接続図
    14. 7.14 温度センサ
    15. 7.15 VREF
      1. 7.15.1 電圧特性
      2. 7.15.2 電気的特性
    16. 7.16 コンパレータ (COMP)
      1. 7.16.1 コンパレータ電気的特性
    17. 7.17 DAC
      1. 7.17.1 DAC 電源仕様
      2. 7.17.2 DAC 出力仕様
      3. 7.17.3 DAC 動的仕様
      4. 7.17.4 DAC 直線性仕様
      5. 7.17.5 DAC タイミング仕様
    18. 7.18 GPAMP
      1. 7.18.1 電気的特性
      2. 7.18.2 スイッチング特性
    19. 7.19 OPA
      1. 7.19.1 電気的特性
      2. 7.19.2 スイッチング特性
      3. 7.19.3 PGA モード
    20. 7.20 I2C
      1. 7.20.1 I2C 特性
      2. 7.20.2 I2C フィルタ
        1. 7.20.2.1 I2C のタイミング図
    21. 7.21 SPI
      1. 7.21.1 SPI
      2. 7.21.2 SPI タイミング図
    22. 7.22 UART
    23. 7.23 TIMx
    24. 7.24 TRNG
      1. 7.24.1 TRNG 電気的特性
      2. 7.24.2 TRNG スイッチング特性
    25. 7.25 エミュレーションおよびデバッグ
      1. 7.25.1 SWD タイミング
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  動作モード
      1. 8.2.1 動作モード別の機能 (MSPM0G350x)
    3. 8.3  パワー マネージメント ユニット (PMU)
    4. 8.4  クロック モジュール (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  イベント
    7. 8.7  メモリ
      1. 8.7.1 メモリ構成
      2. 8.7.2 ペリフェラル・ファイル・マップ
      3. 8.7.3 ペリフェラルの割り込みベクタ
    8. 8.8  フラッシュ メモリ
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度センサ
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 COMP
    16. 8.16 DAC
    17. 8.17 OPA
    18. 8.18 GPAMP
    19. 8.19 TRNG
    20. 8.20 AES
    21. 8.21 CRC
    22. 8.22 MATHACL
    23. 8.23 UART
    24. 8.24 I2C
    25. 8.25 SPI
    26. 8.26 CAN-FD
    27. 8.27 WWDT
    28. 8.28 RTC
    29. 8.29 タイマ (TIMx)
    30. 8.30 デバイスのアナログ接続
    31. 8.31 入力 / 出力の回路図
    32. 8.32 シリアル ワイヤ デバッグ インターフェイス
    33. 8.33 ブートストラップ ローダ (BSL)
    34. 8.34 デバイス ファクトリ定数
    35. 8.35 識別
  10. 9 アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 代表的なアプリケーション
      1. 9.1.1 回路図
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 入門と次のステップ
    2. 10.2 デバイス命名規則
    3. 10.3 ツールとソフトウェア
    4. 10.4 ドキュメントのサポート
    5. 10.5 サポート・リソース
    6. 10.6 商標
    7. 10.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 10.8 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

7.19.1 電気的特性

電源電圧が推奨範囲内で、自由気流の動作温度範囲内のとき (特に記述のない限り)。
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
VCM 同相電圧範囲 RRI = 0x0 -0.1 VDD-1.1 V
RRI = 0x1 -0.1 VDD-0.3
VO レール範囲からの電圧出力スイング RL = 10kΩ を VDD/2 に接続 20 68 mV
Iq 静止電流 (オペアンプ 1 個あたり) IO= 0mA、RRI = 0x0 GBW = 0x0 94 µA
GBW = 0x1 319
IO= 0mA、RRI = 0x1 GBW = 0x0 116 134
GBW = 0x1 401 500
IBCS バーンアウト電流源の電流  2 µA
GBW ゲイン帯域幅積 非反転、ユニティ ゲイン、CL = 40pF GBW = 0x0 1.5 MHz
GBW = 0x1 6
VOS 入力オフセット電圧 非反転、ユニティ ゲイン、VDD = 3.3V、TA = 25℃ CHOP = 0x0 ±0.4 ±2 mV
CHOP = 0x1 または 0x2 ±0.3
非反転、ユニティ ゲイン、VDD = 3.3V CHOP = 0x0 ±1.5 ±3.5
CHOP = 0x1 または 0x2 ±0.1 ±0.5
dVOS/dT 入力オフセット電圧の温度ドリフト 非反転、ユニティ ゲイン、CHOP = 0x0 GBW = 0x0 8.5 μV/℃
GBW = 0x1 6
CHOP = 0x1 または 0x2 0.5
PSRRDC 電源除去比、DC 非反転、ユニティ ゲイン CHOP = 0x0 74 86 dB
CHOP = 0x1 または 0x2 74 86
Ibias  入力バイアス電流 0.1V<Vin<VDD-0.3V、VDD = 3.3V、CHOP=0x0 TA = 25℃ ±50 pA
Ibias (PM パッケージ) 入力バイアス電流 0.1V<Vin<VDD-0.3V、VDD = 3.3V、CHOP=0x0 TA = 125℃ ±0.35 ±400 nA
Ibias (PM を除くすべてのパッケージ) 入力バイアス電流 0.1V<Vin<VDD-0.3V、VDD = 3.3V、CHOP=0x0 TA = 125℃ ±0.35 ±100 nA
Ibias  入力バイアス電流 0.1V<Vin<VDD-0.3V、VDD = 3.3V、CHOP=0x1 TA = 25℃ ±0.4 nA
IBIAS (PM パッケージ) 入力バイアス電流 0.1V<Vin<VDD-0.3V、VDD = 3.3V、CHOP=0x1 TA = 125℃ ±0.4 ±400 nA
Ibias (PM を除くすべてのパッケージ) 入力バイアス電流 0.1V<Vin<VDD-0.3V、VDD = 3.3V、CHOP=0x1 TA = 125℃ ±0.4 ±104 nA
CMRRDC 同相除去比、DC RRI = 0x0：0V<VCM<VDD-1.1V
RRI = 0x1： 0V<VCM<VDD-0.3V		 CHOP = 0x0 89 dB
CHOP = 0x1 または 0x2 73 102
en 入力電圧ノイズ密度 GBW = 0x0、非反転、ユニティ ゲイン、CHOP = 0x0 f = 1kHz 240 nV/√Hz
f = 10kHz 88
積分電圧ノイズ、入力換算 f = 0.1Hz～10Hz、GBW = 0x0、非反転、ユニティ ゲイン CHOP = 0x0 75 µVpp
CHOP = 0x1 または 0x2 2
積分電圧ノイズ、出力換算 f = 0.1Hz～10MHz、GBW = 0x0、CHOP = 0x0、非反転、ユニティ ゲイン 1.5 mVpp
Rin 入力抵抗 (1) 2.6 kΩ
Cin 入力容量 同相 3 pF
AOL 開ループ電圧ゲイン、DC RL = 20kΩ を GND との間に接続、0.3<Vo<VDD-0.3 105 dB
PM 位相マージン CL = 40pF GBW = 0x0 57 度
GBW = 0x1 50
SR スルー レート 非反転、ユニティ ゲイン、CL = 40pF GBW = 0x0 1.3 V/μs
GBW = 0x1 4.9
THDN 全高調波歪み + ノイズ 非反転、ユニティ ゲイン、GBW = 0x0、f = 1.5kHz、積分 BW = 100kHz 0.0034 %
非反転、ユニティ ゲイン、GBW = 0x1、f = 6kHz、積分 BW = 100kHz 0.004
ILoad 出力負荷電流 GBW = 0x0 ±9 mA
GBW = 0x1 ±30
CLoad 出力負荷容量 40 pF
(1) ここでの Rin は、OPA 内のマルチプレクサの入力抵抗を意味します。