JAJSV11C September   2011  – July 2024 UCC28063

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  動作原理
      2. 7.3.2  Natural Interleaving
      3. 7.3.3  オン時間制御、最大周波数制限、再起動タイマ
      4. 7.3.4  歪みの低減
      5. 7.3.5  ゼロ電流検出およびバレー スイッチング
      6. 7.3.6  位相管理と軽負荷動作
      7. 7.3.7  外部ディセーブル
      8. 7.3.8  改良型エラー アンプ
      9. 7.3.9  ソフト スタート
      10. 7.3.10 ブラウンアウト保護
      11. 7.3.11 ドロップアウト検出
      12. 7.3.12 VREF
      13. 7.3.13 VCC
      14. 7.3.14 ダウンストリーム コンバータの制御
      15. 7.3.15 システム レベルの保護
        1. 7.3.15.1 フェイルセーフ OVP - 出力過電圧保護
        2. 7.3.15.2 過電流保護
        3. 7.3.15.3 開ループ保護
        4. 7.3.15.4 VCC 低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護
        5. 7.3.15.5 位相障害保護
        6. 7.3.15.6 CS 開放、TSET 開放および短絡保護
        7. 7.3.15.7 サーマル シャットダウン保護
        8. 7.3.15.8 AC ライン ブラウンアウトおよびドロップアウト保護
        9. 7.3.15.9 フォルト論理図
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  インダクタの選択
        2. 8.2.2.2  ZCD 抵抗の選択 (RZA、RZB)
        3. 8.2.2.3  HVSEN
        4. 8.2.2.4  出力コンデンサの選択
        5. 8.2.2.5  ピーク電流制限のための RS の選択
        6. 8.2.2.6  パワー半導体の選択 (Q1、Q2、D1、D2)
        7. 8.2.2.7  ブラウンアウト保護
        8. 8.2.2.8  コンバータのタイミング
        9. 8.2.2.9  VOUT の設定
        10. 8.2.2.10 電圧ループ補償
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
        1. 8.2.3.1 Natural Interleaving による入力リップル電流の相殺
        2. 8.2.3.2 ブラウンアウト保護
  10. 9 電源に関する推奨事項
  11. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス サポート
      1. 11.1.1 開発サポート
        1. 11.1.1.1 関連製品
      2. 11.1.2 デバイスの命名規則
        1. 11.1.2.1 ピンの詳細説明
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 11.5 用語集
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

9 電源に関する推奨事項

本 IC は、その電力のすべてを VCC ピン経由で受け取ります。PFC 段のすべての動作条件を通じて、この電圧は可能な限り安定化されている必要があります。通常、非常に良好に安定化された電圧をバイアス巻線に供給できるダウンストリーム DC/DC 段から、この段のための定常バイアスを生成することを検討します。この手法により、バイアス生成の総合的な効率が向上します。効率がより低い代替手段として、UA78L15A などの直列接続の固定正電圧レギュレータを検討します。

すべての通常および異常動作条件において、VCC 電圧と入力電流の両方が推奨動作範囲内に維持されることが非常に重要です。VCC 過電圧は内部電圧クランプでの過剰な電力消費の原因となる可能性があり、低電圧はパワー MOSFET の不適切な駆動レベル、UVLO イベント (PFC 動作の中断の原因)、各種オンチップ リニア レギュレータおよび基準電圧のヘッドルーム不足の原因となる可能性があります。

また、MOSFET のゲート駆動に必要な大きな RMS およびピーク電流が 13.5V リニア レギュレータ IC によって供給され、このリニア レギュレータには、外部デカップリング容量を追加する必要がないことにも注意します。より大きい電力、QG が非常に大きいパワー MOSFET、高いスイッチング周波数が必要な場合、パワー MOSFET を駆動するための外付けトランジスタの使用を検討します。これらの外付けトランジスタは、IC の動作温度を低下させ、VCC の入力電流が最大定格を超えないようにするのに役立ちます。

VREF と AGND の間と、VCC と PGND の間に、IC にできる限り近付けてデカップリング コンデンサを配置します。これらのデカップリング コンデンサには、ESR が非常に小さいセラミック コンデンサを使用する必要があります。PGND と AGND の間の DC または高周波 AC 電圧の差が無視できる程度になるように、PGND と AGND を制御 IC とスター接続するのが理想的です。EVM で使用されているデカップリング コンデンサの値と同等、またはそれより少し大きい値のデカップリング コンデンサを使用します。

適切にレギュレートされたバイアス電力が、電源投入時にはできるだけ早く、電源切断時にはできるだけ遅くまで供給されるように、VCC バイアス ブートストラップ装置の起動およびシャットダウンには細心の注意を払います。これらの起動バイアス ブートストラップ回路が、定常状態での不必要な電力消費の原因にならないことを確認します。