JAJSVB7 September   2024 TPLD801-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4ピン構成および機能
  6. 5仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 電源電流特性
    7. 5.7 スイッチング特性
  7. 6パラメータ測定情報
  8. 7詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 I/O ピン
      2. 7.3.2 接続マルチプレクサ
      3. 7.3.3 使用論理ブロック数を構成可能
        1. 7.3.3.1 2 ビット LUT マクロセル
        2. 7.3.3.2 3 ビット LUT マクロセル
        3. 7.3.3.3 2 ビット LUT または D フリップ フロップ / ラッチ マクロセル
        4. 7.3.3.4 3 ビット LUT または D フリップ フロップ / ラッチ (セット / リセット付き) マクロセル
        5. 7.3.3.5 3 ビット LUT またはパイプ遅延マクロセル
        6. 7.3.3.6 4 ビット LUT または 8 ビット カウンタ / 遅延マクロセル
      4. 7.3.4 8 ビット カウンタ / 遅延ジェネレータ (CNT/DLY)
        1. 7.3.4.1 遅延モード
        2. 7.3.4.2 カウンタ モードのリセット
      5. 7.3.5 プログラム可能なグリッチ除去フィルタまたはエッジ検出器マクロセル
      6. 7.3.6 周波数選択可能発振器
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 パワーオン リセット
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 ワンタイム プログラマブル メモリ (OTP)
  9. 8改訂履歴
  10. 9メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 9.1 付録：パッケージ オプション
    2. 9.2 テープおよびリール情報
    3. 9.3 メカニカル データ

5.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) TPLD801-Q1 単位
DRL (SOT-5X3)
8-PIN
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 118.4 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 77.1 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 26.5 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 3.9 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 25.9 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。