JAJSVB7 September   2024 TPLD801-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4ピン構成および機能
  6. 5仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 電源電流特性
    7. 5.7 スイッチング特性
  7. 6パラメータ測定情報
  8. 7詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 I/O ピン
      2. 7.3.2 接続マルチプレクサ
      3. 7.3.3 使用論理ブロック数を構成可能
        1. 7.3.3.1 2 ビット LUT マクロセル
        2. 7.3.3.2 3 ビット LUT マクロセル
        3. 7.3.3.3 2 ビット LUT または D フリップ フロップ / ラッチ マクロセル
        4. 7.3.3.4 3 ビット LUT または D フリップ フロップ / ラッチ (セット / リセット付き) マクロセル
        5. 7.3.3.5 3 ビット LUT またはパイプ遅延マクロセル
        6. 7.3.3.6 4 ビット LUT または 8 ビット カウンタ / 遅延マクロセル
      4. 7.3.4 8 ビット カウンタ / 遅延ジェネレータ (CNT/DLY)
        1. 7.3.4.1 遅延モード
        2. 7.3.4.2 カウンタ モードのリセット
      5. 7.3.5 プログラム可能なグリッチ除去フィルタまたはエッジ検出器マクロセル
      6. 7.3.6 周波数選択可能発振器
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 パワーオン リセット
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 ワンタイム プログラマブル メモリ (OTP)
  9. 8改訂履歴
  10. 9メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 9.1 付録：パッケージ オプション
    2. 9.2 テープおよびリール情報
    3. 9.3 メカニカル データ

5.5 電気的特性

自由気流での動作温度範囲内 (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 VCC 最小値 標準値 最大値 単位
電源およびパワーオン リセット
VPORR パワーオン リセット電圧、VCC 立ち上がり VI = VCC または GND、IO = 0 1.65V～5.5V 1.04 1.30 1.50 V
VPORF パワーオン リセット電圧、VCC 立ち下がり VI = VCC または GND、IO = 0 1.65V～5.5V 0.98 1.17 1.33 V
tSU 起動時間 VCC が VPORR を超えて立ち上がってから 1.65V～5.5V 270 μs
VPP プログラミング電圧 1.65V～5.5V 7.5 8 8.5 V
デジタル IO
VT+ 正方向入力スレッショルド電圧 ロジック入力 (シュミット トリガ付き) 1.8V ± 0.15V 0.92 1.29 V
3.3V ± 0.3V 1.55 2.17
5V ± 0.5V 2.21 3.19
VT- 負方向入力スレッショルド電圧 ロジック入力 (シュミット トリガ付き) 1.8V ± 0.15V 0.56 0.96 V
3.3V ± 0.3V 1.10 1.79
5V ± 0.5V 1.63 2.70
VHYS シュミット トリガ ヒステリシス (VT+ - VT−) ロジック入力 (シュミット トリガ付き) 1.8V ± 0.15V 0.23 0.49 V
3.3V ± 0.3V 0.33 0.54
5V ± 0.5V 0.42 0.66
VOH High レベル出力電圧 プッシュプル 1X またはオープン ドレイン PMOS 1X IOH = -100µA 1.8V ± 0.15V 1.626 V
プッシュプル 2X またはオープン ドレイン PMOS 2X 1.636
VOH High レベル出力電圧 プッシュプル 1X またはオープン ドレイン PMOS 1X IOH = -3mA 3.3V ± 0.3V 2.710 V
プッシュプル 2X またはオープン ドレイン PMOS 2X 2.820
VOH High レベル出力電圧 プッシュプル 1X またはオープン ドレイン PMOS 1X IOH = -5mA 5V ± 0.5V 4.120 V
プッシュプル 2X またはオープン ドレイン PMOS 2X 4.240
VOL Low レベル出力電圧 プッシュプル 1X IOL = 100µA 1.8V ± 0.15V 0.009 V
プッシュプル 2X 0.005
オープン ドレイン NMOS 1X 0.009
オープン ドレイン NMOS 2X 0.005
VOL Low レベル出力電圧 プッシュプル 1X IOL = 3mA 3.3V ± 0.3V 0.118 V
プッシュプル 2X 0.076
オープン ドレイン NMOS 1X 0.118
オープン ドレイン NMOS 2X 0.076
VOL Low レベル出力電圧 プッシュプル 1X IOL = 5mA 5V ± 0.5V 0.139 V
プッシュプル 2X 0.096
オープン ドレイン NMOS 1X 0.139
オープン ドレイン NMOS 2X 0.096
II 入力リーク電流 すべてのピン VI = VCC 1.65V～5.5V ±1 µA
VI = GND 1.65V～5.5V ±1
Rpu(int) 内部プルアップ抵抗 1 MΩ
100 kΩ
10 kΩ
Rpd(int) 内部プルダウン抵抗 1 MΩ
100 kΩ
10 kΩ
Rpd(int)_GPI 内部プルダウン抵抗 - GPI/IN0 1 MΩ
100 kΩ
15 kΩ