JAJSVE0C
May 2015 – July 2024
UCC27201A-Q1
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
説明
4
Pin Configuration and Functions
5
Specifications
5.1
Absolute Maximum Ratings
5.2
ESD Ratings
5.3
Recommended Operating Conditions
5.4
Thermal Information
5.5
Electrical Characteristics
5.6
Switching Characteristics
5.7
Timing Diagrams
5.8
Typical Characteristics
6
Detailed Description
6.1
Overview
6.2
Functional Block Diagram
6.3
Feature Description
6.3.1
Input Stages
6.3.2
UVLO (Under Voltage Lockout)
6.3.3
Level Shift
6.3.4
Boot Diode
6.3.5
Output Stages
6.4
Device Functional Modes
7
Application and Implementation
7.1
Application Information
7.2
Typical Application
7.2.1
Design Requirements
7.2.2
Detailed Design Procedure
7.2.2.1
Input Threshold Type
7.2.2.2
VDD Bias Supply Voltage
7.2.2.3
Peak Source and Sink Currents
7.2.2.4
Propagation Delay
7.2.2.5
Power Dissipation
7.2.3
Application Curves
8
Power Supply Recommendations
9
Layout
9.1
Layout Guidelines
9.2
Layout Example
10
Device and Documentation Support
10.1
サード・パーティ製品に関する免責事項
10.2
Documentation Support
10.2.1
Related Documentation
10.3
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
10.4
サポート・リソース
10.5
Trademarks
10.6
静電気放電に関する注意事項
10.7
用語集
11
Revision History
12
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
1
特長
車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み:デバイス温度グレード 1
接合部温度範囲:-40℃~+150℃
HS の負電圧:-18V
ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
最大ブート電圧:120V
最大 VDD 電圧:20V
オンチップ 0.65V V
F
、0.65Ω R
D
ブートストラップ ダイオード
伝搬遅延時間:22ns
3A シンク、3A ソース出力電流
立ち上がり時間 8ns、立ち下がり時間 7ns (1000pF 負荷時)
遅延マッチング:1ns
ハイサイドおよびローサイド ドライバに対する低電圧誤動作防止機能
8 ピン
PowerPAD™
SOIC-8 (DDA) で供給