JAJU681C January 2019 – May 2024
このリファレンス デザインは、ゲート ドライバを内蔵したテキサス・インスツルメンツの窒化ガリウム (GaN) FET LMG2100 と MSPM0G1506 MCU を中心に開発されています。このデザインは、小電力および中電力のソーラー充電器コントローラの設計を対象としており、15~60V のソーラー パネル モジュールと、最大 16A の出力電流で 12V または 24V のバッテリで動作します。
このデザインは、MPPT に「山登り」アルゴリズムを使用し、98% を上回る動作効率を達成しています。このデザインでは、RDS(on) とスイッチング損失が低く、逆方向回復充電がゼロのハーフブリッジ GaN FET モジュールを採用しているため、高い効率を実現できます。降圧コンバータの高いスイッチング周波数 (最大 250kHz) により、小型の受動部品を使用できます。