JAJU847B april   2021  – april 2023

 

  1.   概要
  2.   リソース
  3.   特長
  4.   アプリケーション
  5.   5
  6. 1システムの説明
  7. 2システム概要
    1. 2.1 ブロック図
    2. 2.2 設計上の考慮事項
    3. 2.3 主な使用製品
      1. 2.3.1 LMG342xR030
      2. 2.3.2 TMS320F28002x
      3. 2.3.3 OPA607
      4. 2.3.4 UCC21222
  8. 3ハードウェアのテスト要件とテスト結果
    1. 3.1 ハードウェア要件
    2. 3.2 テスト構成
    3. 3.3 テスト結果
      1. 3.3.1 テスト手順
      2. 3.3.2 性能データ：効率、iTHD、力率
      3. 3.3.3 機能波形
        1. 3.3.3.1 電流検出と保護
        2. 3.3.3.2 電力段のスタートアップ波形と入力波形
        3. 3.3.3.3 AC 電圧降下テスト
        4. 3.3.3.4 サージ・テスト
        5. 3.3.3.5 EMI テスト
      4. 3.3.4 温度テスト
      5. 3.3.5 GaN FET のスイッチング波形
  9. 4設計とドキュメントのサポート
    1. 4.1 設計ファイル
      1. 4.1.1 回路図
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 ドキュメントのサポート
    3. 4.3 サポート・リソース
    4. 4.4 商標
  10. 5著者について
  11. 6改訂履歴

2.3.1 LMG342xR030

ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG342xR030 GaN FET を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG342xR030 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合とテキサス・インスツルメンツの低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。EMI を制御するための調整可能なゲート・ドライブ強度、過熱保護、フォルト表示付きの堅牢な過電流保護を含むその他の機能を使うと、BOM コスト、基板サイズ、フットプリントを最適化できます。

先進の電源管理機能にはデジタル温度レポート機能とテキサス・インスツルメンツの理想ダイオード・モードが含まれます。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、システムは負荷を最適に管理できます。理想ダイオード・モードは、適応型デッドタイム制御により第 3 象限の損失を低減することで効率を最大化します。