JAJU866A april   2022  – june 2023 TPSI2140-Q1

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4.   テキサス・インスツルメンツの高電圧評価基板 (TI HV EVM) におけるユーザーの安全のための一般的な指針
  5. 1はじめに
    1. 1.1 特長
    2. 1.2 アプリケーション
    3. 1.3 概要
  6. 2接続の説明
  7. 3試験装置
  8. 4推奨テスト構成
    1. 4.1 波形
    2. 4.2 S2 分圧器
  9. 5回路図
  10. 6PCB レイアウト
  11. 7部品表 (BOM)
  12. 8改訂履歴

はじめに

TPSI2140-Q1 は、バッテリ管理システム、EV/HEV オンボード・チャージャ、機械式リレーの代替、DC リンク事前充電などの高電圧車載 / 産業用アプリケーション向けに設計された絶縁型ソリッド・ステート・リレーです。TPSI2140-Q1 は、2 次側電源を必要とせずにリレーをシームレスに置き換えると同時に、小型 SOIC パッケージに統合された独自の絶縁テクノロジーを活用しています。デバイスの 1 次側全体で必要な入力電流は、わずか 9mA です。したがって、単一のマイクロコントローラ GPIO から VDD ピンと EN ピンを駆動でき、フォトモス・ソリューションで使用される外付けのローサイド・スイッチが不要になります。2 次側は、S1 から S2 までのスタンドオフ電圧が ±1.2kV のバック・ツー・バック MOSFET で構成されています。TPSI2140-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外付け部品なしに、システム・レベルの高電位 (HiPot) スクリーニングおよび DC 高速充電器のサージ電流 (最大 2mA) に耐えることができます。