JAJU866A april   2022  – june 2023 TPSI2140-Q1

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4.   テキサス・インスツルメンツの高電圧評価基板 (TI HV EVM) におけるユーザーの安全のための一般的な指針
  5. 1はじめに
    1. 1.1 特長
    2. 1.2 アプリケーション
    3. 1.3 概要
  6. 2接続の説明
  7. 3試験装置
  8. 4推奨テスト構成
    1. 4.1 波形
    2. 4.2 S2 分圧器
  9. 5回路図
  10. 6PCB レイアウト
  11. 7部品表 (BOM)
  12. 8改訂履歴

1.3 概要

TPSI2140Q1 評価基板は、複数のテスト・ポイントと複数のジャンパを実装した 4 層基板であり、このデバイスの機能を包括的に評価できます。1 次側は 4 つの差動ドライバで構成されており、2 次側の各内部 MOSFET に電力を供給し、ロジック情報を有効にします。2 次側の各 MOSFET には専用のフルブリッジ整流器があり、ローカル電源を形成します。イネーブル・ピンを High にすると、発振器が起動し、ドライバはバリアをまたぐ形で電力とロジック High を送信します。TPSI2140-Q1 は、11 DWQ パッケージのアバランシェ堅牢型 MOSFET と拡大ピンの熱的利点により、外部の保護部品を必要とせずに、高電位 (HiPot) スクリーニングや最大 2mA の DC 高速チャージャ・サージ電流に耐えられます。

GUID-20210119-CA0I-9QWR-HWTH-5J5MVTR3P0LB-low.svg図 1-1 TPSI2140-Q1 の機能ブロック図
表 1-1 製品情報
部品番号パッケージ本体サイズ (公称)
TPSI2140-Q1SOIC 11 ピン (DWQ)10.3mm × 7.5mm