この設計は、ヒートシンク、GaN ドーターボード、メイン・ボード、フィルタ・ボードの 4 つの部品で構成されています。図 3-1 にキットの側面図を示し、図 3-2 にヒートシンク、GaN ドーターボード、メイン・ボードの相対位置を示します。GaN ドーターボードの底面に 2 個の上面冷却 GaN LMG3522R030 デバイスを採用しており、ヒートシンクとダイオード・ブリッジを使用してデバイスを冷却することができます。キットは通常、完全に組み立てられた状態で出荷されますが、組み立て手順を以下に列記します。

1. ヒートシンクの角に M3 × 10mm のスタンドオフ 5 個 (片方の端部は外側に 3mm のネジが切ってあるオスネジ、反対側の端部は内側に 3mm のネジが切ってあるメスネジ) を取り付けます。
2. GaN ドーターボードの下のヒートシンクにサーマル・インターフェイス・マテリアル (TIM) (この設計では厚さ 0.5mm の Fujipoly GR80A-0H-050GY) を接着し、TIM が十分大きく、GaN ドーターボードの下部ピンおよびトレースより少なくとも 3mm はみ出すようにします。ただし、4 つの機械穴には、TIM が無い部分が直径 7mm 必要です。
3. 底面の 4 個のスタンドオフがヒートシンクの 4 つの機械的な取り付け穴の位置に合うように、ヒートシンク上で GaN ドーターボードの位置を決めます。4 本の M3 × 6mm のネジを GaN ドーターボードからヒートシンクに固定します。
4. ダイオード・ブリッジの底面側に熱グリースを塗布します。
5. ヒートシンクの温度プローブを M3 × 4mm のネジでヒートシンクに固定します。
6. GaN ドーターボードの J2 とメイン・ボードの J4 の位置合わせを行うと、J4 の底面の穴から J2 を J4 にスライドして入れることができます。
7. メイン・ボードの角の穴をヒートシンクの 5 個のスタンドオフの位置に合わせ、M3 × 8mm のネジで固定します。
8. ダイオード・ブリッジの穴をヒートシンクの対応する穴の位置に合わせ、M3 × 8mm のネジでダイオード・ブリッジをヒートシンクに固定します。
9. メイン・ボードの穴 (HV、SW、GND) から GaN ドーターボードの MP1、MP4、MP7 スタンドオフに 3 本の M3 × 6mm のネジを取り付けます。これら 3 本のネジは、GaN ドーターボードとメイン・ボードの間の大電流経路としても機能します。
10. メイン・ボード (J1、J2、J3) をフィルタ・ボード (J2、J4、J10) にハーネスで接続します。
11. メイン・ボードの J5 と J7 に DC 出力ケーブルを接続します。
12. フィルタ・ボードの J1、J3、J5 に AC 入力ケーブルを接続します。

図 3-1 TIDA-010236 リファレンス・デザインの側面図

図 3-2 ヒートシンク、GaN ドーターボード、メイン・ボード