JAJU889 may   2023

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   リソース
  4.   特長
  5.   アプリケーション
  6.   6
  7. 1システムの説明
    1. 1.1 主なシステム仕様
  8. 2システム概要
    1. 2.1 ブロック図
    2. 2.2 設計上の考慮事項
    3. 2.3 主な使用製品
      1. 2.3.1  UCC5880-Q1
      2. 2.3.2  AM2634-Q1
      3. 2.3.3  TMS320F280039C-Q1
      4. 2.3.4  UCC14240-Q1
      5. 2.3.5  UCC12051-Q1
      6. 2.3.6  AMC3330-Q1
      7. 2.3.7  TCAN1462-Q1
      8. 2.3.8  ISO1042-Q1
      9. 2.3.9  ALM2403-Q1
      10. 2.3.10 LM5158-Q1
      11. 2.3.11 LM74202-Q1
    4. 2.4 システム設計理論
      1. 2.4.1 マイクロコントローラ
        1. 2.4.1.1 マイクロコントローラ – C2000™
        2. 2.4.1.2 マイクロコントローラ – Sitara™
      2. 2.4.2 絶縁バイアス電源
      3. 2.4.3 電源ツリー
        1. 2.4.3.1 はじめに
        2. 2.4.3.2 電源ツリーのブロック図
        3. 2.4.3.3 12V の分配と制御
        4. 2.4.3.4 ゲート・ドライブ電源
        5. 2.4.3.5 5V 電源ドメイン
        6. 2.4.3.6 電流および位置センシング電源
  9. 3ハードウェア、ソフトウェア、テスト要件、テスト結果
    1. 3.1 ハードウェア要件
      1. 3.1.1 ハードウェア・ボードの概要
        1. 3.1.1.1 制御ボード
        2. 3.1.1.2 MCU 制御カード – Sitara™
        3. 3.1.1.3 MCU 制御カード – C2000™
        4. 3.1.1.4 ゲート・ドライバとバイアス電源ボード
        5. 3.1.1.5 DC バス電圧センス
        6. 3.1.1.6 SiC パワー・モジュール
          1. 3.1.1.6.1 XM3 SiC パワー・モジュール
          2. 3.1.1.6.2 モジュールの電源端子
          3. 3.1.1.6.3 モジュールの信号端子
          4. 3.1.1.6.4 内蔵 NTC 温度センサ
        7. 3.1.1.7 ラミネート・バス・コンデンサと DC バス・コンデンサ
          1. 3.1.1.7.1 放電 PCB
    2. 3.2 テスト構成
      1. 3.2.1 ソフトウェア設定
        1. 3.2.1.1 Code Composer Studio プロジェクト
        2. 3.2.1.2 ソフトウェアの構造
    3. 3.3 テスト方法
      1. 3.3.1 プロジェクトの設定
      2. 3.3.2 アプリケーションの実行
    4. 3.4 テスト結果
      1. 3.4.1 絶縁バイアス電源
      2. 3.4.2 絶縁型ゲート・ドライバ
      3. 3.4.3 インバータ・システム
  10. 4テキサス・インスツルメンツの高電圧評価基板 (TI HV EVM) におけるユーザーの安全のための一般的な指針
  11. 5設計とドキュメントのサポート
    1. 5.1 設計ファイル
      1. 5.1.1 回路図
      2. 5.1.2 BOM
      3. 5.1.3 PCB レイアウトに関する推奨事項
        1. 5.1.3.1 レイアウトのプリント
      4. 5.1.4 Altium プロジェクト
      5. 5.1.5 ガーバー・ファイル
      6. 5.1.6 アセンブリの図面
    2. 5.2 ツールとソフトウェア
    3. 5.3 ドキュメントのサポート
    4. 5.4 サポート・リソース
    5. 5.5 商標
  12. 6用語
3.1.1.6.1 XM3 SiC パワー・モジュール

Wolfspeed の XM3 モジュールは、高性能で使いやすい新しいパッケージを作成することで、SiC パワー・モジュールを簡素化するように設計されています。Wolfspeed は、高性能の次世代モジュールを開発しました。このモジュールは使いやすく、市販の 650～1700V Wolfspeed C3M™ SiC MOSFET のすべてのサイズで最大の性能を達成するように最適化されています。このモジュールは、小さなフットプリント (53 x 80mm) で大電流 (300～600A 超) を伝送する能力を備えており、シンプルなバス接続と相互接続が可能な端子配置になっています。インダクタンスが小さく、均等に分配されたレイアウトであるため、高品質のスイッチング・イベントが得られ、モジュールの内部と外部の両方の発振が最小限に抑えられます。このモジュールの浮遊インダクタンスはわずか 6.7nH です。このリファレンス・デザインで低インダクタンスのバス機能とコンデンサを組み合わせると、合計ループ・インダクタンスが 12nH となり、多くの標準的なパワー・モジュール・パッケージの内部浮遊インダクタンスよりも低くなります。XM3 プラットフォームは、図 3-5 に示すように、業界で一般的に使用されているパッケージと比較して、体積は 40%、フットプリントは 45% であり、電力密度の高いシステム向けのよりコンパクトな電源モジュールです。表 3-3 に、各 3 相インバータのリファレンス・デザインに含まれる XM3 モジュールのバリエーションを示します。

GUID-20230418-SS0I-NCB5-ZZGZ-LG89XDH8X58B-low.jpg図 3-5 XM3 (左)、62mm (中央)、および EconoDUAL™ (右) のサイズ比較
表 3-3 XM3 パワー・モジュールの型番
リファレンス・デザイン モジュールの型番
CRD300DA12E-XM3 C4B450M12XM3
CRD250DA12E-XM3 C4B425M12XM3
CRD200DA12E-XM3 C4B400M12XM3