JAJU912 November 2023
ヒートシンクなしで 7.7A RMS の公称最大出力電流を流した際の 1mΩ シャントの電力損失は 60mW であり、その設計にヒートシンクを取り付けた場合、損失 1.6W で 40ARMS(過渡) を流すことができます。シャント R16 のパッケージと電力定格として 3W を選択しました。±250mV のリニア入力電圧範囲を持つ AMC1306M25 を評価する目的で、また、底面冷却 GaN-FET 用のヒートシンクを使ってより大きな負荷電流でシステムをテストする目的で、より抵抗の大きいシャント (5mΩ など) に置き換えることもできます。
レイアウトでは、シャントから差動入力フィルタ R26、R29、C40 までケルビン接続を使い、信号 AIN_N および AIN_P を差動で配線します。AMC1306 の AGND は、GaN-FET の上面ソース (SW) に接続されてたシャント端子に接続します。このリファレンス デザインでの配線を容易にするため、AIN_N はスイッチ ノード (SW) と同じ電位に設定しているため、位相電流は、モーターの位相電流を反転した電流として測定されます。