JAJU915A December 2023 – June 2024
LMG2100R044 デバイスは、80V 連続、100V パルス、35A ハーフブリッジ電力段で、ゲート ドライバとエンハンスメント モードの窒化ガリウム (GaN) FET が内蔵されています。このデバイスは 2 つの 100V GaN FET で構成され、1 つの高周波数 80V GaN FET ドライバによりハーフ ブリッジ構成で駆動されます。GaN FET は逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG2100R044 デバイスは、5.5mm × 4.5mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ取り付けできます。TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず最高 12V の入力電圧に耐えられます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント モード GaN FET のゲート電圧を安全な動作範囲内に維持できます。このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さな外形で高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに最適な選択肢です。