JAJU915A December 2023 – June 2024
DC/AC 段として以下の 2 GaN FET 設計を採用しました。
どちらも上面放熱型デバイスであるため、底面放熱型デバイスと比較して、より優れた放熱性能が得られます。PLEC シミュレーションにより、50mΩ デバイスが 230VAC グリッドに適していることが確認されました。LMG3522R050 は LMG3522R030 に比べて寄生出力容量が小さいため、効率が高くなります。120VAC グリッド バリアントとしては、LMG3522R030 がより適しています。