図 5-56 に、次のパラメータを用いた 19A (6.6kW) での CLLLC 動作を示します。
- トレース
- C1:GaN 1 次側スイッチ ノードのドレイン電圧
- C2:GaN 2 次側スイッチ ノードのドレイン電圧
- C3:トランス 1 次側電流
- C4:トランス 2 次側電流
- 条件
- VIN = 400V
- VOUT = 350V
- IOUT = 19A
図 5-57 に、次のパラメータを用いた 10A での CLLLC 動作を示します。
- トレース
- C1:GaN スイッチのノード ドレイン電圧レッグ 1
- C2:GaN スイッチのノード ドレイン電圧レッグ 2
- C3:トランス 1 次側電流
- C4:トランス 2 次側電流
- 条件
- VIN = 400V
- VOUT = 350V
- IOUT = 10A
GaN スイッチのドレイン - ソース間の電圧遷移を拡大すると、図 5-58 に示すように約 40 ns となります。このような急激な遷移は、LMG3522 の COSS が低いことに起因しています。
図 5-58 の波形は、次のパラメータで測定されたものです。
- トレース
- C1:GaN スイッチのノード ドレイン電圧レッグ 1
- C2:GaN スイッチのノード ドレイン電圧レッグ 2
- C3:トランス 1 次側電流
- C4:トランス 2 次側電流
- 条件
- VIN = 400V
- VOUT = 350V
- IOUT = 10A
図 5-59 の波形は、次のパラメータで測定されたものです。
- トレース
- C1:GaN スイッチのノード ドレイン電圧レッグ 1
- C2:GaN スイッチのノード ドレイン電圧レッグ 2
- C3:トランス 1 次側電流
- C4:トランス 2 次側電流
- 条件
- VIN = 400V
- VOUT = 350V
- IOUT = 2A
GaN スイッチのドレイン - ソース間の電圧遷移を拡大すると、図 5-60 に示すように約 75 ns となります。このような急激な遷移は、LMG3522 の COSS が低いことに起因しています。この図で遷移時間がわずかに長くなっているのは、負荷が軽く、その結果として電流量が減少しているためです。
図 5-60 の波形は、次のパラメータで測定されたものです。
- トレース
- C1:GaN スイッチのノード ドレイン電圧レッグ 1
- C2:GaN スイッチのノード ドレイン電圧レッグ 2
- C3:トランス 1 次側電流
- C4:トランス 2 次側電流
- 条件
- VIN = 400V
- VOUT = 350V
- IOUT = 2A