JAJU922A October 2022 – February 2024
図 5-51 は全負荷動作時に撮影されたものです。発熱が著しい部品はすべて、基板底面のコールド プレートに接続されています。この画像で最も高温に見えている部品は、EMI フィルタ内にある同相モード インダクタに起因するものです。これらの部品はコールド プレートに接続されておらず、冷却はすべて周囲の空気を通してのみ行われます。
GaN FET の温度は、LMG3522 デバイスに搭載されているオンボード温度センサで測定されます。全負荷条件では、すべての FET 温度は 75℃ を下回ります。
表 5-5 に、以下の条件における GaN FET の測定温度を示します。
GaN FET | 温度 (℃) |
---|---|
PFC | 66.8 |
CLLLC 1 次側 (350V/19A) | 58.1 |
CLLLC 2 次側 (350V/19A) | 59.5 |
CLLLC 1 次側 (300V/19A) | 61.0 |
CLLLC 2 次側 (300V/19A) | 74.0 |
図 5-52 に、以下の条件におけるトランスの臨界温度を示します。